0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

5qYo_ameya360 来源:fqj 2019-05-29 15:15 次阅读

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1)的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。

该系列产品非常适用于电动压缩机※2)的逆变器电路和PTC加热器※3)的开关电路,而且传导损耗更低※4),达到业界领先水平,非常有助于应用的小型化与高效化。

另外,加上已经在量产中的650V产品,该系列共拥有11种机型,产品阵容丰富,可满足客户多样化需求。

前期工序的生产基地为LAPIS Semiconductor Miyazaki Co., Ltd.(日本宫崎县),后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand)(泰国)。

近年来随着环保意识的提高和燃油价格的飙升,电动汽车的市场需求不断增长。搭载引擎的传统车辆,压缩机的动力源为引擎,而随着电动车辆的增加,压缩机日益电动化,而且其市场规模也在不断扩大。

另外,以往汽车空调制热,是利用引擎运行的废热;如今以PTC加热器为热源使温水循环制热的系统等的需求也在日益增加。由于驱动频率较低,这些应用的逆变器电路和开关电路中所使用的半导体主要是IGBT。尤其是在电动汽车中,压缩机和加热器的功耗会影响续航距离,因此需要更高的效率。

另一方面,为了延长电动汽车(EV)的续航距离,所配置电池的容量也呈日益增加趋势。特别是在欧洲,采用高电压(800V)电池的汽车越来越多,这就需要更高耐压且更低损耗的功率元器件。因此,除650V耐压的IGBT产品外,对1200V耐压IGBT的需求也日益高涨。

在这种背景下,ROHM开发出满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的1200V耐压产品,与650V耐压产品共同构成了丰富的产品阵容。RGS系列实现了业界领先的低传导损耗(Vce(sat.)),非常有助于应用的小型化和高效化。

此外,1200V耐压产品的短路耐受※5)时间为10μsec(Tj=25℃),即使在要求高可靠性的车载领域也可放心使用。

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

产品特点

1. 业界领先的低传导损耗

通过优化器件结构,在1200V耐压级别将传导损耗(VCE(sat.))降至1.70V(typ Tj=25℃),与其他公司同等产品(1200V、40A产品)相比,传导损耗改善了约10~15%。

尤其是在电动压缩机和PTC加热器中,由于驱动频率较低,故对传导损耗的重视程度高于开关特性,RGS系列的出色表现已经获得客户的高度好评。

2. 产品阵容丰富,满足客户多样化需求

此次推出的四款1200V耐压产品,加上量产中的650V耐压产品,共11种机型。产品阵容中包括IGBT单品和续流二极管※6)内置型两种类型的产品,客户可根据需求自由选用。

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

目标电路示例

电动压缩机

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

PTC加热器

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • IGBT
    +关注

    关注

    1267

    文章

    3793

    浏览量

    249012
  • Rohm
    +关注

    关注

    8

    文章

    372

    浏览量

    66055

原文标题:新品:满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

文章出处:【微信号:ameya360,微信公众号:皇华电子元器件IC供应商】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    AEC-Q101标准下的分立半导体器件认证

    电子部件标准,其成员包括全球的汽车制造商、电子模块生产商和元器件供应商。AECQ101标准简述AECQ101标准是一套针对汽车
    的头像 发表于 12-23 17:29 94次阅读
    <b class='flag-5'>AEC-Q101</b><b class='flag-5'>标准</b>下的分立半导体器件认证

    多芯片组件AEC-Q104规范

    )、AEC-Q101(离散组件)、AEC-Q200(被动组件)。而AEC-Q102(离散光电LED)、AEC-Q104(多芯片组件)为近期较新的汽车电子规范。
    的头像 发表于 11-21 16:41 238次阅读
    车<b class='flag-5'>用</b>多芯片组件<b class='flag-5'>AEC-Q</b>104规范

    深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模块

    本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管。与传统功率模块相比,该模块采用了分段式栅极沟槽(SDA)结构,并通过可以控制
    的头像 发表于 11-14 14:59 533次阅读
    深度了解第8代1800A/<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>功率模块

    ROHM推出第四代1200V IGBT

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用,开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V
    的头像 发表于 11-13 13:55 323次阅读
    ROHM推出第四代<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>

    基本半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级认证

    近日,基本半导体自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证,产品性能和可靠性满足汽车电子元器件在极端环境下的严苛要求,至此公司获车规级认证的碳化硅功率器件产品家
    的头像 发表于 09-13 10:20 593次阅读
    基本半导体碳化硅MOSFET通过<b class='flag-5'>AEC-Q101</b>车规级认证

    瞻芯电子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性测试认证

    近日,上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品(IV3Q12013T4Z)通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试
    的头像 发表于 06-24 09:13 813次阅读
    瞻芯电子第三代<b class='flag-5'>1200V</b> 13.5mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性测试认证

    雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200

    雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200
    的头像 发表于 06-12 08:02 758次阅读
    雷卯解析<b class='flag-5'>AEC-Q101</b>与<b class='flag-5'>AEC-Q</b>200

    1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120HA数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120HA数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 18:02 0次下载

    1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120UE数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120UE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:16 0次下载

    1200V 15A沟槽和场阻IGBT JJT15N120SE数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 15A沟槽和场阻IGBT JJT15N120SE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 15:23 0次下载

    瞻芯电子推出一款车规级1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    近日,瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z,该模块产品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分别获得了AQG324与AEC-Q101车规级可靠性认证。
    的头像 发表于 04-07 11:37 1670次阅读
    瞻芯电子推出一款车规级<b class='flag-5'>1200V</b> SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    SGS为华微电子颁发AEC-Q101认证证书

    近日,国际公认的测试、检验和认证机构SGS(以下简称为“SGS”)为吉林华微电子股份有限公司(以下简称为“华微电子”)颁发AEC-Q101认证证书。
    的头像 发表于 03-22 18:25 1203次阅读

    SGS为安芯电子、安美半导体颁发了AEC-Q101认证证书

    2024年3月22日, 国际公认的测试、检测和认证机构SGS为安芯电子科技股份有限公司(以下简称“安芯电子”)及其子公司安徽安美半导体有限公司(以下简称“安美半导体”)颁发了AEC-Q101认证证书。
    的头像 发表于 03-22 18:21 1339次阅读

    蓉矽半导体SiC MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证

    蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。
    的头像 发表于 03-12 17:18 1148次阅读
    蓉矽半导体SiC MOSFET通过<b class='flag-5'>AEC-Q101</b>车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证

    蓉矽半导体1200V SiC MOSFET通过车规级可靠性认证

    蓉矽半导体近日宣布,其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显
    的头像 发表于 03-12 11:06 850次阅读