富士康济南项目将建设8寸晶圆厂功率半导体器件

新闻稿中指出，该项目是济南市引进的富士康高科技产业项目，主要为年产36万片8寸硅基功率器件和12万片6寸SiC功率器件的工业厂房。项目总占地630.6亩，一期占地318亩，一期总投资50亿元，建筑面积24万平米。

据介绍，中铁14局主要负责项目的基础工程、主体工程、装饰装修、场区市政以及安装工程等，目前项目进场道路已经打通，正在进行灰土和面层混凝土施工；降水工程基本完成，强夯工程正在施工；临建板房、场区围挡正在搭设；cub动力厂房桩基正式开始施工。

此外，3月15日济南高新区管委会亦发布新闻稿称，济南临空经济区组织举行富能高功率芯片生产项目桩基开工仪式。文中消息显示，该项目将建设8寸晶圆厂功率半导体器件（主要生产MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圆厂碳化硅器件的研发、生产基地，项目一期用地317.92亩，建筑面积约24.5万平方米，投资50.53亿元。

富士康济南项目（富能高功率芯片生产项目）将建设8寸晶圆厂功率半导体器件（主要生产MOSFET（金氧半场效晶体管）、CoolMos、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件）和6寸晶圆厂碳化硅器件的研发、生产基地，项目一期用地317.92亩，建筑面积约24.5万平方米，投资50.53亿元。

十月底将完成部分主体施工，明年一季度全部建成使用。项目投产后可实现65亿元以上的营收。该项目是中国大陆地区功率器件威廉希尔官方网站 起点最高的项目，具备全球行业前五的威廉希尔官方网站 实力，产品应用将基于智能手机、8K电视、5G 通信、工业互联网等，重点面向各种消费类和车载应用等主流市场。本项目的落地也彻底打破了我市乃至我省半导体集成电路产业缺乏龙头项目的局面。

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