MOS晶体管的应用
MOS晶体管
mos晶体管，金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）结构的晶体管简称MOS晶体管，有MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路。
MOS晶体管的应用
mos管是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。
场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
晶体管
+关注
关注
77文章
9684浏览量
138091 -
MOS晶体管
+关注
关注
0文章
18浏览量
7689
发布评论请先 登录
相关推荐
MOS管泄漏电流,各种漏电流及减小泄露方法介绍
理想的MOS晶体管不应该有任何电流流入衬底或者阱中，当晶体管关闭的时候DS之间不应该存在任何的电流。但是，现实中MOS却存在各种不同的漏电流。漏电流一方面严重减小了低功耗设备的电池使用
NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别
NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）类型，它们在多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMOS晶体管
数字电路的基础概念：MOS晶体管
对于从事芯片行业的人员来说，还是有必要了解数字电路中的一些基本概念，例如用作逻辑开关的 MOS 晶体管。当然，我们的目的是了解现代芯片中的行为本质，而不需要陷入半导体物理方程。
3MOS和4MOS在功能上有什么区别
在现代电子威廉希尔官方网站
中，晶体管是实现信号放大、开关控制等功能的关键元件。随着集成电路威廉希尔官方网站
的发展，晶体管的尺寸不断缩小，性能不断提升。3MOS和4MOS作为两种典型的
mos的开启电压怎么测试
MOS（Metal-Oxide-Semiconductor，金属氧化物半导体）是一种广泛应用于电子器件的半导体材料，其开启电压（Threshold Voltage，简称Vth）是指使MOS晶体管从
工科人关于T3Ster热阻测试仪不得不知道的九大特点
，T3Ster用来测量封装半导体器件以及其他电子设备的瞬态热特性，测量的器件包括分离或集成的双极型晶体管、MOS晶体管、常见的三极管、LED封装和半导体闸流管，各种封装类型的器件和微机
基于JEDEC栅电荷测试方法测量MOSFET的栅电荷
在栅极电荷方法中，将固定测试电流（Ig）引入MOS晶体管的栅极，并且测量的栅极源电压（Vgs）与流入栅极的电荷相对应。对漏极端子施加一个固定的电压偏置。
发表于 04-10 14:22
•1719次阅读
什么是达林顿晶体管？达林顿晶体管的基本电路
达林顿晶体管（Darlington Transistor）也称为达林顿对（Darlington Pair），是由两个或更多个双极性晶体管（或其他类似的集成电路或分立元件）组成的复合结构。通过这种结构，第一个双极性晶体管放大的电流
什么是MOS管
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
场效应晶体管怎么代替继电器 晶体管输出和继电器输出的区别
继电器通过通断线圈产生磁场来控制机械开关，实现对电路的控制。而场效应晶体管（MOS管）是一种基于半导体材料工作的场效应晶体管，通过栅极施加正负偏压来控制漏极与源极之间的通断状态。
工商网监
评论