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逻辑IC在工艺威廉希尔官方网站 的进步的体现

电子工程师 来源:ZYD 2019-02-25 09:24 次阅读

IC产业的进步取决于IC制造商继续提供更多性能和功能的能力。随着主流CMOS工艺在理论,实践和经济方面的限制,降低IC成本(基于每个功能或每个性能)比以往任何时候都更具挑战性和挑战性。2019年版IC Insights的McClean报告(500页),有关集成电路行业的完整分析和预测(2019年1月发布)表明,公司提供的面向逻辑的工艺威廉希尔官方网站 比以往任何时候都多。
图1列出了公司目前使用的几种领先的高级逻辑威廉希尔官方网站 。主要节点之间的每个过程生成的衍生版本已成为常规事件。

英特尔- 其2018年末推出的第九代处理器的代号为“Coffee Lake-S”,有时也称为“Coffee Lake Refresh”。英特尔称这些处理器是新一代产品,但它们似乎更多增强了第八代产品。细节很少,但这些处理器似乎是在14nm ++工艺的增强版本上制造的,或者可能被认为是14nm +++工艺。

使用其10nm工艺的大规模生产将在2019年推出,它将于2018年12月推出新的“Sunny Cove”系列处理器。看起来Sunny Cove架构基本上取代了应该是10nm的Cannon Lake架构。预计到2020年发布,当然10nm +衍生工艺将进入批量生产阶段。

台积电- 台积电的10nm finFET工艺于2016年底投入批量生产,但已从10纳米迅速发展至7纳米。台积电相信7nm产品将成为28nm和16nm等长寿命节点。

台积电5纳米工艺正在开发中,预计将于2019年上半年进入风险生产阶段,到2020年将开始量产。该工艺将使用EUV,但它不会是台积电利用EUV威廉希尔官方网站 的第一个流程。首先是该公司7nm威廉希尔官方网站 的改进版本。N7 +工艺仅在关键层(四层)上使用EUV,而N5工艺将广泛使用EUV(最多14层)。N7 +计划于2019年第二季度投入量产。

三星- 在2018年初,三星开始批量生产第二代10nm工艺,称为10LPP(低功率+)。在2018年晚些时候,三星推出了第三代10nm工艺,称为10LPU(低功耗终极),提供了另一项性能提升。三星采用10nm的三重图案光刻威廉希尔官方网站 。与台积电不同,三星认为其10纳米工艺系列(包括8纳米衍生产品)的生命周期很长。

三星的7nm威廉希尔官方网站 于2018年10月投入风险生产。该公司不再提供采用浸没式光刻威廉希尔官方网站 的7nm工艺,而是决定直接采用基于EUV的7nm工艺。该公司正在将EUV用于7nm的8-10层。

GlobalFoundries- GF将其22nm FD-SOI工艺视为其市场,并与其14nm finFET威廉希尔官方网站 相辅相成。该公司称22FDX平台的性能与finFET非常接近,但制造成本与28nm威廉希尔官方网站 相同。

2018年8月,GlobalFoundries宣布将停止7nm开发,因为该威廉希尔官方网站 节点的生产成本增加,并且因为有太少的代工客户计划使用下一代工艺,因此对战略进行了重大转变。因此,该公司转向其研发工作,以进一步增强其14nm和12nm finFET工艺及其完全耗尽的SOI威廉希尔官方网站 。

五十年来,集成电路威廉希尔官方网站 的生产率和性能得到了惊人的改善。虽然该行业已经克服了摆在它面前的许多障碍,但似乎障碍仍在不断扩大。尽管如此,IC设计人员和制造商正在开发比增加芯片功能更具革命性的解决方案。

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原文标题:逻辑IC在工艺威廉希尔官方网站 的进步

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