存储级存储器(SCM)克服了NAND闪存的局限性,这使得接管成为必然。
存储级存储器(SCM),能够如同NAND闪存一样保留其内容的能力,也能有像DRAM一样的的速度,这使得它最终将取代闪存作为首选的高速存储介质。
这就是HPE 3PAR存储单元副总裁兼总经理Ivan Iannaccone的预测。但他补充说,这需要一些时间。
“这不会在一夜之间发生; 它变得经济可行只是时间问题,但它最终会接管。也许10年后。“,他告诉我。
在每个字节的基础上,SCM的成本比闪存高出四倍。目前只有两家供应商:英特尔和三星。英特尔以Optane品牌销售它并以企业为目标,英特尔的Optane HPE将其用于其存储阵列。
三星的产品名为Z-SSD,现在专注于消费者,并计划在今年晚些时候向OEM提供样品。据说东芝和Western Digital也在开发自己的SCM产品。
除了更换NAND闪存外,Iannaccone还认为SCM使用的NVMe协议将取代目前存储阵列中使用的SCSI / SAS接口。“,现实是NVMe是一种更加精简的记忆方式。存储级内存SCM的行为更像内存,延迟更低。“,他说。
由于闪存的固有设计,SCM在这块要好很多。性能问题和闪存延迟的最大原因之一是使用垃圾收集以满足新写入。将数据写入闪存驱动器时,无法覆盖旧信息。它必须在其他地方写入一个新数据块,并在磁盘I / O暂停时删除旧文件。
因为你在以前的写入之后总是在清理,它会导致一些不稳定,这就是媒体行为的方式。
SCM比NAND闪存更快,但仍然很昂贵
凭借其覆盖文件的能力,写入数据所需的时间要短得多,SCM为9ms,NAND为90ms至100ms。此外,您没有媒体的不可预测性,因为您没有运行后台进程来优化媒体。
英特尔以多种外形销售Optane。3PAR为其存储阵列而非服务器提供PCI Express附加卡。它们充当存储阵列SSD和服务器内存之间的缓存。通过增加大约3TB的SCM,3PAR在Oracle基准测试中实现了30%的性能提升,同时价格提升了5%。
最终,Iannaccone认为SCM能够从其物理位置分解并充当多个存储阵列的缓存,并且所有其他阵列都与具有SCM内存的阵列通信。
“SCM仍然相当昂贵,因此我们将其用作缓存和智能算法层来制作缓存,”他说。
随着SCM的成本下降并且作为闪存的替代品变得更加可行,用例将分裂。对于大容量存储,每千兆字节将有一个更合适的价值,并且将有一个性能层来优化I / O。
-
NAND
+关注
关注
16文章
1681浏览量
136134 -
存储器
+关注
关注
38文章
7484浏览量
163776 -
SCM
+关注
关注
2文章
66浏览量
15310
原文标题:HPE预测SCM将取代NAND
文章出处:【微信号:TopStorage,微信公众号:存储加速器】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
评论