今天三星公司将会举行Samsung Tech Day,其中宣布的重点包括了7nm EUV工艺、SmartSSD(FPGA SSD)、数据中心的QLC-SSD、256GB 3DS RDIMM内存,那么与我们关系最密切的莫过于7nm EUV工艺量产,三星表示7nm LPP对比现有的10nm FinFET工艺,可以实现提升40%面积能效、性能增加20%、功耗降低50%目标。
目前纳米工艺推进遇到了极限问题,主要是由制造设备带来,具体来说就是光刻机的分辨率制约,想要刻画出精细、只有数纳米宽度线条,对于光源聚集性能要求非常高。分辨率越高,刻画的线条越精细越清晰。
但凡是光源总会有衍射问题,想要克服衍射问题,就必须使用波长越短的光来刻画晶体管掩模。
很久以前用的是Hg光源,100-80nm工艺以后开始使用248nm的KrF光源,此后一直使用193nm的ArF光源,不过对于7nm以下工艺来说,需要用到全新的EUV光源,波长可以下降到只有13nm长,这被视为7nm工艺的重要威廉希尔官方网站 组成部分。
目前三星宣布已经完成了整套7nm EUV工艺的威廉希尔官方网站 流程开发以及产线部署,进入了可量产阶段。三星表示7nm LPP工艺可以减少20%的光学掩模流程,整个制造过程更加简单了,节省了时间和金钱,又可以实现40%面积能效提升、性能增加20%、功耗降低50%目标。
因此7nm EUV工艺才是半导体制造关键性节点,绝大部分半导体厂商都将会在此工艺上停留非常长的时间(喜欢改名字另当别论),往后5nm、3nm工艺攻坚难度更加大了,遇到是半导体材料物理极限,而非光源极限问题那么“简单”。
三星还说7nm LPP工艺将会在韩国华城的S3工厂展开,2020年前再新开一条产线生产相关芯片,满足市场所需。你猜哪一家产品会率先用上7nm EUV工艺?
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原文标题:三星宣布7nm EUV工艺量产,留给Intel的时间不多了
文章出处:【微信号:IC-008,微信公众号:半导体那些事儿】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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