长江存储公布突破性威廉希尔官方网站 ——Xtacking,三星是否开始慌张？

北京时间2018年8月7日，长江存储官网的一篇新闻稿表示其公开发布了一条其突破性威廉希尔官方网站 ——Xtacking。

据该稿件介绍，采用Xtacking可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking威廉希尔官方网站 只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

长江存储CEO杨士宁博士还用具体数值详细说明了该威廉希尔官方网站 的潜力：“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking威廉希尔官方网站 我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”

单从数据来说，这应该可以被称为“吓人”的威廉希尔官方网站 ，杨士宁博士口中的目前世界最快的3D NAND I/O速度似乎指的是三星上个月宣布量产的第五代V-NAND 3D堆叠闪存。该威廉希尔官方网站 采用的是TLC颗粒，内部包含超过850亿个3D TLC CTF存储单元，每个单元可以存储三位数据，核心容量为256GB。三星的第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。

那么说来，有媒体用“叫板三星”来做标题就显得非常自然。不过拿刚公布的威廉希尔官方网站 来对比三星宣布量产的威廉希尔官方网站 ，是否合适呢？

这就让TechSugar小编想到了另一个引起轰动的存储威廉希尔官方网站 ——3D Xpoint。早在2005年，英特尔和美光成立了一家合资公司英特尔-美光闪存科技（IMFT），旨在共同制造NAND闪存，第一款产品就是72nm的平面NAND。这个新型的3D XPoint就是该合资公司于2015年研发。

当时可谓风光一时，因为根据英特尔官方说法，“3D XPoint闪存各方面都超越了目前的内存及闪存，性能是普通闪存的1000倍，可靠性也是普通闪存的1000倍，容量密度是内存的10倍，而且是非易失性的，断电也不会损失数据。” 后来证实1000倍的速度只是理论值，目前使用3D XPoint介质的产品虽然有显著的速度提升，但并没有达到这样的效果。不过随着大数据、人工智能的发展，3D Xpoint还是令人充满向往的。

奈何就在上个月，英特尔和美光正式宣布双方的3D XPoint共同开发计划即将在2019年划下句点。不过英特尔相关业务的高管在接受《EE Times》的电话采访时，表示了对这个威廉希尔官方网站 的固执。

而美光这边，在今年6月份的时候预告了2018年下半年96层3D NAND威廉希尔官方网站 将会开始批量出货，并计划打造超过120层的第四代3D NAND。另一个存储界的巨头——SK海力士正处于72层堆叠产品阶段。而东芝西部数据宣布成功开发采用96层BiCS4架构的第二代3D QLC NAND，并预计2018年下半年开始供货。可以看出，在3D NAND的市场上，三星带着一批狂徒们往前猛冲。毕竟这也是一份美差事，靠这个产品每家公司都赚的盆满钵满。

最后我们再将目光回到长江存储身上，虽说目前其3D NAND存储威廉希尔官方网站 的进度有些落后，但背后的精神值得点赞。

“熬”过来的长江存储

说到长江存储就不得不提紫光和武汉新芯，其中武汉新芯成立于2006年，是湖北省和武汉市下定决心进军集成电路制造领域的产物。起初是做DRAM，后因DRAM价格低谷周期原因而放弃，转为生产NAND Flash闪存。2010年其订单数量急剧下降，甚至面临公司出售的窘境，届时国外多家企业也对其垂涎。生存状况一直处于艰难的武汉新芯在武汉市政府的坚持下，最终成为中芯国际子公司。奈何业绩一直很难看，中芯国际的10亿注资只能作罢。直到国家集成电路大基金的出手，才让武汉新芯出现转机。2016年3月武汉新芯宣布，将投资240亿美元在武汉打造一个世界级的半导体存储企业，集中精力研究生产NAND FLASH和DRAM。

另一个主角紫光，是在2016年7月份参与进来，在武汉新芯基础上成立了长江存储。武汉新芯将成为长江存储的全资子公司，而紫光集团则是参与长江存储的二期出资。当年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动土。

2017年1月，紫光集团进一步宣布投资300亿美元(约2000亿人民币)，在江苏南京投资建设半导体存储基地，一期投资100亿美元，建成月产能10万片，主要生产3D NAND FLASH、DRAM存储芯片。2月份中科院微电子所的网页上就传来了令人振奋的消息，国产32层3D NAND FLASH芯片取得突破性进展，通过电学特性等各项测试。

2017年9月长江存储新建的国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房实现提前封顶。这年的11月，有媒体报道了长江存储已经成功研发32层3D NAND Flash芯片。对此，赵伟国在央视财经频道《对话》栏目中表示，“这枚芯片价值10亿美元。这是一枚32层64G存储芯片，是长江存储1000人干了2年时间研发出来的。”

今年4月份，重达16吨价值400万美金的精密仪器空降长江存储。随后5月份，就有消息爆出，长江存储迎来了自己的第一台光刻机，193nm沉浸式设计，可生产20-14nm工艺的3D NAND闪存晶圆，售价达7200万美元，约合人民币4.6亿元，该光刻机来自ASML。

日前主管紫光半导体业务的联席总裁刁石京表示长江存储的32层堆栈3D NAND闪存今年Q4季度量产，64层堆栈的3D NAND闪存则会在2019年量产。

可以看出，这一路走来全靠两个词，一个是“坚持”一个是“砸钱”，合起来就是“坚持砸钱”。