0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

朝着自旋晶体管的目标迈进一大步

传感器威廉希尔官方网站 来源:未知 作者:邓佳佳 2018-03-20 10:35 次阅读

日前,荷兰格罗宁根大学的物理学家仅仅使用简单的直流电流,就改变了通过磁体中的自旋波。这标志着朝着构造自旋电子器件的自旋晶体管的目标迈出了一大步。这些自旋电子器件比传统的电子器件更加节能。

下面,回顾一下笔者介绍过的自旋电子器件的研究案例。

1)美国德克萨斯大学达拉斯分校科学家设计出的全碳自旋逻辑器件,完全由碳构成,采用了自旋电子学原理。该器件的尺寸比硅晶体管更小,性能却更佳,未来将有望取代硅晶体管。

2)荷兰代尔夫特理工大学(TU Delft)教授 Vandersypen领导的科学家团队在硅量子芯片中将电子自旋的量子信息成功传送至光子,对于跨越芯片连接量子位和扩大量子位的数量来说,这一点非常重要。

3)荷兰代尔夫特理工大学科维理纳米科学研究所(Kavli Institute of Nanoscience Delft)与荷兰科学研究组织AMOLF 研究所合作,开发出一种在室温下将自旋信息转化为可预见的光信号的方法。这一发现让自旋电子学与纳米光子学结合得更紧密,有望为大数据中心的数据处理开辟一条更加节能的途径。

5)德国凯泽斯劳滕工业大学(TUK)的团队开发出一种生成太赫兹波的新方法:利用磁性金属纳米结构中的量子磁电流,也称为“自旋电流”。

今天,笔者要再介绍一项有关自旋电子学的前沿科技成果。近日,荷兰格罗宁根大学的物理学家仅仅使用简单的直流电流,就改变了通过磁体中的自旋波。这标志着朝着构造自旋电子器件的自旋晶体管的目标迈出了一大步。这些自旋电子器件比传统的电子器件更加节能。

为了实现这个目标,科学家需要进行很多步研究,并需要获取很多基础知识。格罗宁根大学泽尼克先进材料研究所(Zernike Institute of Advanced Materials)物理学教授Bart van Wees的纳米器件物理小组在这个领域处于前沿地位。在最新的论文中,他们展示了一种基于磁振子的自旋晶体管。

在铂和YIG的界面上,无法进入磁体的电子弹了回来。“当这个现象发生时,电子的自旋从向上翻转至向下个,或者相反。然而,这引起了YIG内部的平行自旋翻转,从而产生了磁振子。”磁振子穿越材料,并且被第二个铂带检测到。

“我们不久前就描述过这种通过磁场的自旋传输。现在,我们已经进入下一步:我们希望影响传输。”科学家通过在注入器与检测器之间,使用第三个铂带,实现这个目标。施加正电流或者负电流,可以将额外的磁振子注入到导电通道中,或者从中耗尽磁振子。“这使得我们可以构建出类似场效应晶体管的器件。在这种晶体管中,栅极的电场能减少或者增加通道中自由电子的数量,从而关闭或者增加电流。”

Cornelissen及其同事展示了,添加磁振子将增加自旋电流,同时耗尽它们将显著降低自旋电流。Cornelissen表示:“尽管目前我们还未能完全地关闭磁振子电流,但是这个器件具备了晶体管的功能。”理论模型显示,减少器件的厚度将增加磁振子的消耗,完全地阻止磁振子电流。

但是,Cornelissen 的导师 Bart van Wees表示还有另外一个有趣的观点:“在一个较薄的器件中,增加通道中的磁振子数量到一定程度时,它们有可能形成一个玻色-爱因斯坦冷凝物。”这种现象造成了超导性。相对于只能在非常低的温度下产生的普通超导性,这种超导性可以在室温下产生。

这项研究制造出了YIG自旋晶体管,而且从长远来看,这种材料甚至可以自造出自旋超导体。这个系统的美丽之处在于:自旋注入和自旋电流控制都可以通过简单的直流电流实现,从而使得自旋器件可以兼容普通的电子器件。Van Wees 总结道:“我们的下一步就是看看,我们是否能够实现这些愿望。”

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

原文标题:新研究:朝着自旋晶体管的目标迈进一大步!

文章出处:【微信号:WW_CGQJS,微信公众号:传感器威廉希尔官方网站 】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    晶体管与场效应的区别 晶体管的封装类型及其特点

    晶体管与场效应的区别 工作原理 : 晶体管晶体管(BJT)基于双极型晶体管的原理,即通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。
    的头像 发表于 12-03 09:42 192次阅读

    NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别

    NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)类型,它们在多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMOS晶体管
    的头像 发表于 09-13 14:10 3208次阅读

    CMOS晶体管和MOSFET晶体管的区别

    CMOS晶体管和MOSFET晶体管在电子领域中都扮演着重要角色,但它们在结构、工作原理和应用方面存在显著的区别。以下是对两者区别的详细阐述。
    的头像 发表于 09-13 14:09 1587次阅读

    BFR840L3RHESD晶体管是否可以用来放大nA级电流?

    我想知道BFR840L3RHESD晶体管是否可以用来放大nA级电流。如果该晶体管不合适,是否有其他晶体管可以实现这一目标,或者是否无法使用晶体管
    发表于 07-23 07:40

    晶体管处于放大状态的条件是什么

    晶体管种半导体器件,广泛应用于电子设备中。它具有三个主要的引脚:基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。晶体管的工作原理是通过控制基极和发射极之间的电流,来控制集电极和发射极之间的电流。
    的头像 发表于 07-18 18:15 1504次阅读

    PNP晶体管符号和结构 晶体管测试仪电路图

    PNP晶体管种双极性晶体管,用于电子电路中放大、开关和控制电流的器件。与NPN晶体管相对应,PNP晶体管的结构特点在于其三个不同的半导体
    的头像 发表于 07-01 17:45 2510次阅读
    PNP<b class='flag-5'>晶体管</b>符号和结构 <b class='flag-5'>晶体管</b>测试仪电路图

    安森美发布高功率密度IGBT模块,助力能源系统优化

    在智能电源和感知威廉希尔官方网站 领域,美国纳斯达克上市的安森美公司(onsemi,股票代码:ON)再次展现其威廉希尔官方网站 实力。近日,该公司正式发布了第7代1200VQDual3绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块,标志着电力电子领域又一大步的飞跃。
    的头像 发表于 06-12 14:46 1001次阅读

    台桌面工作站的智慧之光,照见宁畅“全局智算”版图

    AI落地桌面的一小步,是宁畅加速产业智能的一大步
    的头像 发表于 06-05 17:24 576次阅读
    <b class='flag-5'>一</b>台桌面工作站的智慧之光,照见宁畅“全局智算”版图

    如何提高晶体管的开关速度,让晶体管快如闪电

    咱们今天讲讲电子世界的跑步选手——晶体管。这小东西在电子产品里就像是继电赛跑的选手,开关的速度决定了电子设备的快慢。那么,如何才能提高晶体管的开关速度呢?来探究竟。如果把晶体管比作
    的头像 发表于 04-03 11:54 689次阅读
    如何提高<b class='flag-5'>晶体管</b>的开关速度,让<b class='flag-5'>晶体管</b>快如闪电

    数字晶体管是削减元器件、创建简单电路的第一步

    当您听到“数字晶体管”这个词时,可能会感觉它比普通晶体管更难,但实际上它是种用于开关工作的简单电子器件,实际试用下就会发现其实既简便又易用。 即便是在面包板上的电子制作中,使用数
    的头像 发表于 03-01 13:07 317次阅读
    数字<b class='flag-5'>晶体管</b>是削减元器件、创建简单电路的第<b class='flag-5'>一步</b>

    什么是达林顿晶体管?达林顿晶体管的基本电路

    达林顿晶体管(Darlington Transistor)也称为达林顿对(Darlington Pair),是由两个或更多个双极性晶体管(或其他类似的集成电路或分立元件)组成的复合结构。通过这种结构,第个双极性
    的头像 发表于 02-27 15:50 5335次阅读
    什么是达林顿<b class='flag-5'>晶体管</b>?达林顿<b class='flag-5'>晶体管</b>的基本电路

    晶体管的偏置定义和方式

    晶体管的偏置是指为了使晶体管正常工作,需要给晶体管的基极或发射极加上适当的电压,从而使晶体管的工作点处于稳定的状态。
    的头像 发表于 02-05 15:00 2045次阅读
    <b class='flag-5'>晶体管</b>的偏置定义和方式

    晶体管Ⅴbe扩散现象是什么?

    晶体管并联时,当需要非常大的电流时,可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象,有必要在每晶体管的发射极上串联个小电阻。电阻R用
    发表于 01-26 23:07

    在特殊类型晶体管的时候如何分析?

    管子多用于集成放大电路中的电流源电路。 请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析?按照我的理解,在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时,如果多发射极或多集电极的每极分别接到独立的电源回路中
    发表于 01-21 13:47

    如何根据管脚电位判断晶体管

    晶体管种常用的电子器件,用于放大和控制电信号。判断晶体管种常见方法是根据管脚电位来识别晶体管的类型和状态。本文将详细介绍如何根据管脚
    的头像 发表于 01-09 17:29 2439次阅读