带恒功率、底部无PAD的氮化镓芯片U872XAHS系列型号分别为U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐压700V,内阻1.0--1.2R。封装类型ASOP-7-T4,具体脚位如下:
1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚
2 FB I 系统反馈输入管脚
3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚
4 VDD P 芯片供电管脚
5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚
6 GND P 芯片参考地
7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚
U872XAHS系列目前用量最大的是氮化镓芯片U8723AHS,推荐功率30W (12V单高压),工作频率最高可达220kHz,可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能,可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路,非常适用于宽输出电压的应用场景。
氮化镓芯片U872XAHS系列主要特性:
&集成 高压 E-GaN
&集成高压启动功能
&超低启动和工作电流,待机功耗 <30mW
&谷底锁定模式, 最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
&集成 EMI 优化威廉希尔官方网站
&驱动电流分档配置
&集成 Boost 供电电路
&集成完备的保护功能:
VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)
输出过压/欠压保护 (DEM OVP/UVP)
输入过压/欠压保护 (LOVP /BOP)
片内过热保护 (OTP)
逐周期电流限制 (OCP)
异常过流保护 (AOCP)
短路保护 (SCP)
过载保护 (OLP)
前沿消隐 (LEB)
CS 管脚开路保护
&封装类型 ASOP7-T4
针对宽输出电压应用场合,为了满足VDD的宽电压应用需求,往往需要添加额外的电路或者辅助绕组,导致系统功耗和电路成本的增加。氮化镓芯片U872XAHS系列集成了Boost供电威廉希尔官方网站 ,仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可,在输出电压较低时,Boost电路启动工作,维持VDD电压在VBOOST_REG(典型值10.1V),当输出电压升高,辅助绕组电压高于VBOOST_REG时,Boost电路停止工作,VDD由辅助绕组供电。
如今消费者对充电器的便携性要求越来越高,氮化镓芯片可以让充电器在体积缩小的情况下,依然能够提供较高的充电功率。关注深圳银联宝科技氮化镓芯片系列,顺应各类消费需求!
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原文标题:带恒功率、底部无PAD的氮化镓芯片U872XAHS系列
文章出处:【微信号:gh_3980db2283cd,微信公众号:开关电源芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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