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开关电源芯片U8621的主要特点

开关电源芯片 来源:开关电源芯片 2025-01-03 16:05 次阅读

超结功率MOSFET在高电压开关应用中占据主导地位,适用于需要高效能和紧凑设计的场合。超结结构能够在保持高电压的同时实现低导通电阻,突破了传统硅极限‌,超结MOSFET中的电荷平衡特性,能够设计更薄、掺杂更多的区域,实现更快的开关速度,降低开关损耗,提高效率。深圳银联宝内置合封一颗1.9Ω/630V的高压MOS开关电源芯片U8621,在‌175V--264Vac推荐22.5W,85V-264Vac推荐18W,一起了解下!

开关电源芯片U8621拥有自适应工作模式,根据FB脚电平自动匹配工作模式,当FB电平低于1.1V时,芯片进入打嗝工作模式,此模式下芯片工作频率为25KHz,最小导通时间为1.2uS;当FB电平低于1.7V 时,芯片进入变频模式,此模式下芯片工作频率在25K-65K变动,驱动高电平时间由FB和CS电平控制;当FB电平大于3.7V时,芯片进入恒功率模式,此时芯片工作频率为65KHz,PWM占空比由对应的VOCP控制。

开关电源芯片U8621管脚说明:

1 GND 芯片内部电路电位基准引脚

2 VCC 芯片内部电路供电引脚

3 FB 输出反馈输脚,芯片 PWM 输出的频率和占空比由FB 和CS 控制

4 CS 电感峰值电流采样输入引脚

5/6/7/8 PD 内置高压功率 MOS 的漏极

开关电源芯片U8621主要特点:

固定 65K 赫兹的开关频率

内置抖频威廉希尔官方网站 优化EMI

根据负载大小自适应多种工作模式包括打嗝模式、绿色节能模式和定频PWM工作模式

内置斜率补偿的峰值电流控制方式

内置过流点补偿优化宽输入电压范围内最大输出功率的一致性

内置前沿消隐威廉希尔官方网站

低空载待机功耗(<75mW@AC230V)

支持恒压、恒功率、恒温输出

内置软启动威廉希尔官方网站

内置集成多种自保护功能,包括VCC 欠压保护功能(UVLO)、VCC 过压保护功能(OVP)、逐周期限流功能(OCP)、恒温输出功能(OTP-L)、CS 引脚开路保护功能

同时,开关电源芯片U8621高达630V的耐压能力,使得芯片能够轻松应对输入电压的波动,确保在各种复杂的供电环境下都能正常工作。无论是电网电压的瞬间升高,还是雷击等极端情况引发的电压冲击,U8621芯片内置的超结硅功率MOS都能为芯片提供可靠的保护,让设备免受损坏,稳定运行!

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原文标题:内置1.9Ω/630V的超结硅功率开关电源芯片U8621

文章出处:【微信号:gh_3980db2283cd,微信公众号:开关电源芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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