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新品 | 3300V,1200A IGBT4 IHV B模块

英飞凌工业半导体 2025-01-02 17:41 次阅读

新品

3300V,1200A IGBT4 IHV B模块

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知名的IHV B 3.3kV单开关IGBT模块经过了重大改进,以满足牵引和工业应用(如中压传动或HVDC)当前和未来的要求。

最新推出的产品组合类型是经过优化的IGBT和二极管比率,FZ1200R33HE4D_B9足以取代英飞凌和竞争对手的1500A 3.3kV单开关。

它采用TRENCHSTOP IGBT4和发射极可控EC4二极管,具有更强的功率循环能力,标准封装为IHV B 190x140mm²。

与前几代产品相比,客户可以轻松切换,同时节省成本。

产品型号:

■FZ1200R33HE4D_B9

产品特点

高短路能力

开关损耗低

低VCEsat

Tvj op max=150°C

无与伦比的动态鲁棒性

火灾和烟雾EN45545 R22、R23:HL3

CTI>600

与最先进型号比有2倍功率循环

用于发电工况的扩大二极管

矩形RBSOA

应用价值

2xPC,可实现200%的使用寿命或在相同寿命下,实现110%的输出功率或8K温度余量

故障电流RBSOA高达3000A

性能与任何1500A 3.3kV相同

与190x140毫米模块1:1尺寸互换

在恶劣环境条件下的使用寿命为30年

竞争优势

与IGBT3 3.3kV竞争类型相比200%功率循环,可在大多数应用中实现200%的使用寿命,或在相同使用寿命内实现110%的输出功率,或在相同使用寿命内增加8K温度余量

足以替代任何1500A 3.3kV型产品

比IGBT3便宜10%

应用领域

机车牵引

工业驱动器

输配电

CAV

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