半导体芯片的制造工艺流程

CMOS可用于逻辑和存储芯片上，它们已成为IC市场的主流。

CMSO电路：

下图显示了一个CMOS反相器电路。

从图中可以看出它由两个晶体管组成，一个为NMOS，另一个为 PMOS。

当输入为高电压或逻辑1时，NMOS 就会被开启而 PMOS 会被关闭。因为输出电压为接地电压Vss，所以输出电压Vout为低电压或逻辑0。

反之，若输入为低电压或逻辑0时，NMOS 就会被关闭而 PMOS 被开启。输出电压为高电压Vdd，所以输出电压Vout为高电压或逻辑1。

由于CMOS会反转输入信号，所以被称为反相器。这个设计是逻辑电路中使用的基本逻辑单元之一。

理想状态下，Vdd和Vss之间并没有电流流动，所以CMOS的耗电量很低。CMOS反相器的主要电能损耗由高频开关转换时的漏电流形成。CMOS优于NMOS之处还包括有较高的抗干扰能力、芯片温度低、使用温度范围广和较少的定时复杂性。

将CMOS和双载流子威廉希尔官方网站 结合形成的BiCMOS IC在20世纪90年代迅速发展，CMOS电路用于逻辑部分，双载流子晶体管可增加元器件的输入/输出速度。由于BiCMOS已经不再是主流产品，并且当IC的应用电压降到1V以下时就会失去应用性，所以书中并未对这种工艺做详细探讨。

CMOS工艺（20世纪80年代）：

上图显示了20世纪80年代的CMOS工艺过程，晶体管之间的隔离用硅局部氧化（LOCOS）取代整面全区覆盖式氧化。

硼磷硅玻璃（BPSG）用于作为金属沉积前的电介质层（PMD)或中间隔离层（ILD0），以降低所需的再流动温度。

尺寸的缩减使大多数图形化刻蚀采用等离子体刻蚀（干法刻蚀）取代湿法刻蚀，单层金属线已不足以将IC芯片上所有的元器件按照所需的电导率连接，所以必须使用第二金属层。

20世纪80年代~90年代，金属线之间的介质沉积和平坦化是一大威廉希尔官方网站 挑战，即金属层间电介质层（IMD，Inter Metal Dielectric）。20世纪80年代，最小的图形尺寸从3μm缩小到0.8μm。

CMOS的基本工艺步骤包括晶圆预处理、阱区形成、隔离区形成、晶体管制造、导线连接和钝化作用。

晶圆预处理包含外延硅沉积、晶圆清洗、对准记号刻蚀。阱区形成为NMOS和PMOS晶体管定义出器件区。阱区形成按威廉希尔官方网站 发展程度的不同分为单一阱区、自对准双阱区(也称单一光刻双阱区)和双光刻双阱区。隔离威廉希尔官方网站 以建立电气隔离区的方式隔绝邻近的晶体管。20世纪80年代，硅局部氧化取代了整面全区覆盖式氧化成为隔离威廉希尔官方网站 的主流。晶体管制造则涉及了栅极氧化层的生长、多晶硅沉积、光刻威廉希尔官方网站 、多晶硅刻蚀、离子注入以及加热处理，这些都是IC工艺中最重要的工艺步骤。导线连接威廉希尔官方网站 结合了沉积、光刻和刻蚀威廉希尔官方网站 定义金属线，以便连接建造在硅表面上的数百万个晶体管。最后通过钝化电介质的沉积、光刻和刻蚀威廉希尔官方网站 将IC芯片密封起来与外界隔离，只保留键合垫区的开口以供测试和焊接用。

CMOS工艺（20世纪90年代）：

从20世纪90年代开始，IC芯片的图形尺寸持续地从0.8μm缩减到0.18um以下，同时IC制造业也采用了一些新的威廉希尔官方网站 。

当图形尺寸小于0.35um时，隔离区形成就采用浅沟槽隔离（STI）取代硅的局部氧化威廉希尔官方网站 。金属硅化物广泛用于形成栅极和局部连线，钨被广泛用做不同金属层间的金属连线，即所谓的栓塞（“Plug”）。越来越多的生产线使用化学机械研磨（CMP)威廉希尔官方网站 形成STI、钨栓塞和平坦化的层间电介质（ILD）。高密度等离子体刻蚀和化学气相沉积（CVD）更受欢迎，铜金属化已开始在生产线上崭露头角。下图为一个具有四层铜金属互连和一个Al/Cu合金焊盘层的CMOSIC横截面。

2000年后半导体工艺发展趋势

光学光刻波长：193nm

浸入式光刻威廉希尔官方网站 、双重图形威廉希尔官方网站

自对准材料：镍硅化取代钴硅化物

低K层间介质

高K-金属栅

应变硅威廉希尔官方网站

FinFET

……

21世纪初，CMOS集成电路威廉希尔官方网站 进人纳米威廉希尔官方网站 节点。该威廉希尔官方网站 节点从130nm缩小到32nm。193 nm波长的光成为占主导地位的光学光刻波长。浸入式光刻威廉希尔官方网站 利用水在物镜和晶圆光刻胶之间作为媒介，以进一步改善图形精度，这种威廉希尔官方网站 已经成为广泛使用在45nm节点及以后的IC制造中。45nm威廉希尔官方网站 节点后，双重图形威廉希尔官方网站 已被用于IC制造。浸入式光刻和双重图形相结合，可以帮助IC制造商进一步缩小图形尺寸。从65nm节点开始，镍硅化物取代钴硅化物作为自对准硅化物材料的选择。高k和金属栅极开始取代二氧化硅和多晶硅作为栅介质和栅电极材料。广泛应用的诸如应变硅衬底工程，通过提高载流子迁移率提高器件的性能。如双应力和选择性外延硅锗（eSiGe）威廉希尔官方网站 使MOSFET沟道硅层应变增加载流子迁移率和器件速度。下图显示了一个具有选择性外延SiGe和碳化硅的32nm CMOS截面图，栅具有高k金属，9层铜互连，而且无铅焊球。