0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

描述晶圆薄膜厚度的单位:埃介绍

中科院半导体所 来源:老虎说芯 2024-12-19 09:18 次阅读

‍‍‍‍埃(Å)作为一个长度单位,在集成电路制造中无处不在。从材料厚度的精确控制到器件尺寸的微缩优化,埃级尺度的理解和应用是确保半导体威廉希尔官方网站 不断发展的核心。

什么是埃(Angstrom)‍

埃(符号:Å)是一种非常小的长度单位,主要用于表示微观领域的尺度,例如原子、分子之间的距离,或者晶圆制造中的薄膜厚度。1 Å 等于 (10^{-10}) 米,也就是0.1纳米(nm)。为了更直观地理解这个概念,我们可以通过以下比喻说明:

一根人的头发直径约为70,000纳米,也就是700,000 Å。

如果将1米想象为地球的直径,那么1 Å 就像是地球表面上一粒小沙子的直径。

在集成电路制造中,埃单位的引入是因为它精确而便捷,尤其适用于描述极薄的膜层(如氧化硅、氮化硅、掺杂层等)的厚度,或者描述纳米尺度的特征尺寸。随着半导体工艺威廉希尔官方网站 的进步,对厚度的控制精确到了单个原子层的水平,埃已经成为不可或缺的单位。

埃的物理意义和应用背景

埃作为长度单位,是科学研究和工业实践中理解物质微观性质的重要工具。以下是其关键物理意义:

原子和分子的尺寸量级:原子的直径通常在0.5-3 Å之间。例如,氢原子的直径约为0.5 Å,氧原子的直径约为1.2 Å。这意味着埃是描述原子级别距离的理想单位。在化学中,键长(两个原子核之间的平均距离)通常用埃来表示。例如,C-C键长约为1.54 Å。

薄膜厚度的精准控制:在集成电路制造中,薄膜的厚度往往需要达到原子级精度,例如氧化硅层的厚度可能为10 Å左右。这种精度决定了芯片的性能和可靠性。

晶体结构和晶格常数:半导体材料(如硅、砷化镓)的晶格常数(即晶体中相邻原子间的距离)通常用埃表示。例如,硅的晶格常数为5.43 Å。这一特性与材料的电学和机械性能密切相关。

光学电子显微镜的分辨能力:高端显微镜的分辨率能够达到亚埃级(即小于1 Å),从而观测原子和分子的排列,这在晶圆缺陷分析中尤为重要。

缺的单位。

埃在集成电路制程中的应用‍‍‍‍‍

在集成电路制造中,埃单位的应用非常广泛且重要。它贯穿了薄膜沉积、刻蚀、离子注入等多个关键工艺。以下对几个典型场景进行说明:

①薄膜厚度控制


‍‍

半导体制造过程中,薄膜材料(如氧化硅SiO₂、氮化硅Si₃N₄等)被用作绝缘层、掩膜层或电介质层。薄膜的厚度对器件性能有至关重要的影响:

例如,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)栅氧化层的厚度通常为几纳米甚至几埃。过厚会导致器件性能下降,过薄则可能导致击穿。

化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)威廉希尔官方网站 能以埃级精度沉积薄膜,确保厚度符合设计要求。

②掺杂控制

离子注入威廉希尔官方网站 中,注入离子的渗透深度与剂量直接影响半导体器件的性能。埃单位常被用来描述注入深度的分布情况。例如,浅结工艺中,注入深度可能仅为几十埃。

③刻蚀精度

在干法刻蚀中,刻蚀速率和停刻时间需要精确控制到埃级别,以避免对底层材料的损伤。例如,在晶体管的栅极刻蚀中,如果刻蚀过头,将导致性能劣化。

④原子层沉积(ALD)威廉希尔官方网站

ALD 是一种能以单原子层为单位堆积材料的威廉希尔官方网站 ,每次循环可能仅形成0.5-1 Å的薄膜厚度。这种威廉希尔官方网站 在超薄膜层的构造中极具优势,例如用作高介电常数(High-K)材料的栅极介质。


如何理解埃的尺度?

为了帮助工程师更加形象地理解埃的概念,可以用以下方式比喻:

埃与原子的关系:如果将一个原子想象成一个乒乓球,那么1 Å就相当于两颗乒乓球之间的距离。

埃与微观工艺的关系:假设人的头发直径为70,000纳米,将其缩小到一颗晶体管的栅极长度(约为几纳米),那么这层栅氧化层的厚度可能只占头发厚度的50万分之一。

埃与人类感知尺度的对比:如果把1米比作地球,那么1 Å就如同地球表面上一粒细沙的直径。这种极端的尺度对大多数人来说是抽象的,但对于工程师来说却是日常思考的一部分。

为什么埃在集成电路制造中如此重要‍‍‍

随着半导体工艺进入先进节点(例如7 nm、5 nm、3 nm甚至未来的2 nm),集成电路的微缩逼近物理极限,而这一极限就体现在埃级厚度的控制上。以下是埃单位在行业中重要性的总结:

尺寸微缩驱动的需求:晶体管的特征尺寸(例如栅极长度、通道宽度等)已经达到数十埃的水平。微缩工艺要求工程师对材料的厚度和界面特性实现极高的控制。

性能和功耗的平衡:在先进制程中,栅极氧化层越薄,器件的开关速度越快,但也更容易出现漏电问题。通过精确控制埃级厚度,可以优化性能与功耗的平衡。

工艺控制能力的提升:精确的埃级控制是提升良率的关键。例如,在多层互连中,金属间隙的填充、绝缘层的厚度控制均需要埃级的均匀性。

新材料和工艺的探索:随着摩尔定律逐渐接近极限,半导体行业引入了高-K介质、二维材料(如石墨烯、MoS₂)等新材料。这些材料的特性通常在埃级尺度上决定其宏观表现。

总结。埃(Å)作为一个长度单位,在集成电路制造中无处不在。从材料厚度的精确控制到器件尺寸的微缩优化,埃级尺度的理解和应用是确保半导体威廉希尔官方网站 不断发展的核心。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 集成电路
    +关注

    关注

    5387

    文章

    11534

    浏览量

    361647
  • 半导体制造
    +关注

    关注

    8

    文章

    398

    浏览量

    24067

原文标题:描述晶圆薄膜厚度的单位:埃

文章出处:【微信号:bdtdsj,微信公众号:中科院半导体所】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    背面涂敷工艺对的影响

    工艺中常用的材料包括: 芯片粘结剂:作为浆料涂覆到背面,之后再烘干。采用这种方法,成本较低,同时可以控制键合层厚度并且提高单位时间产量。 WBC胶水:其成分
    的头像 发表于 12-19 09:54 172次阅读
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>背面涂敷工艺对<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>的影响

    的TTV,BOW,WARP,TIR是什么?

    的TTV、BOW、WARP、TIR是评估质量和加工精度的重要指标,以下是它们的详细介绍: TTV(Total Thickness
    的头像 发表于 12-17 10:01 177次阅读
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>的TTV,BOW,WARP,TIR是什么?

    提高SiC平整度的方法

    提高SiC(碳化硅)平整度是半导体制造中的一个重要环节,以下是一些提高SiC平整度的方法: 一、测量与分析 平整度检测:首先,使用高精度的测量设备对SiC
    的头像 发表于 12-16 09:21 170次阅读
    提高SiC<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>平整度的方法

    划片为什么用UV胶带

    圆经过前道工序后芯片制备完成,还需要经过切割使上的芯片分离下来,最后进行封装。不同厚度
    的头像 发表于 12-10 11:36 231次阅读
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>划片为什么用UV胶带

    有什么方法可以去除键合边缘缺陷?

    去除键合边缘缺陷的方法主要包括以下几种: 一、化学气相淀积与平坦化工艺 方法概述: 提供待键合的。 利用化学气相淀积的方法,在
    的头像 发表于 12-04 11:30 234次阅读
    有什么方法可以去除<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>键合边缘缺陷?

    /晶粒/芯片之间的区别和联系

    本文主要介绍‍‍‍‍‍‍ (wafer)/晶粒 (die)/芯片 (chip)之间的区别和联系。   (Wafer)——原材料和生产
    的头像 发表于 11-26 11:37 607次阅读

    深视智能SCI系列光谱共焦位移传感器对射测量半导体厚度

    01项目背景作为半导体芯片的基础载体,其厚度的精确控制直接影响到芯片的性能、可靠性和最终产品的成品率。通过准确的
    的头像 发表于 11-12 01:08 157次阅读
    深视智能SCI系列光谱共焦位移传感器对射测量半导体<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b><b class='flag-5'>厚度</b>

    降低TTV的磨片加工有哪些方法?

    高通量测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总
    的头像 发表于 10-31 17:38 251次阅读
    降低<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>TTV的磨片加工有哪些方法?

    薄膜电容的厚度

    薄膜电容在电子设备中重要,由金属电极和介质塑料薄膜材料构成,薄膜电容的薄膜厚度影响性能,选购需根据应用场合和参数挑选的
    的头像 发表于 10-10 17:03 373次阅读
    <b class='flag-5'>薄膜</b>电容的<b class='flag-5'>厚度</b>

    智旭电子 薄膜电容的厚度

    薄膜电容在电子设备中重要,由金属电极和介质塑料薄膜材料构成,薄膜电容的薄膜厚度影响性能,选购需根据应用场合和参数挑选的
    的头像 发表于 10-10 17:02 167次阅读

    WD4000系列几何量测系统:全面支持半导体制造工艺量测,保障制造工艺质量

    会导致沉积薄膜厚度的不均匀,影响随后的光刻和蚀刻过程中创建电路图案的精度。对光刻工艺的影响:影响聚焦;不平整的,在光刻过程中,会导致光刻焦点深度变化,从而影响光刻
    发表于 06-07 09:30 0次下载

    薄膜在线红外测厚仪:精确测量薄膜厚度的利器

    ,为大家详细介绍这种设备的性能、应用以及未来发展方向。 一、薄膜在线红外测厚仪的性能特点 1. 高精度:薄膜在线红外测厚仪采用了先进的红外测量威廉希尔官方网站 ,能够实现对薄膜
    的头像 发表于 04-17 15:55 1018次阅读
    <b class='flag-5'>薄膜</b>在线红外测厚仪:精确测量<b class='flag-5'>薄膜</b><b class='flag-5'>厚度</b>的利器

    表面特性和质量测量的几个重要特性

    用于定义表面特性的 TTV、弯曲和翘曲术语通常在描述表面光洁度的质量时引用。首先定义以下术语以
    发表于 04-10 12:23 6810次阅读
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>表面特性和质量测量的几个重要特性

    半导体直径与厚度之间的关系

    厚度的增加虽然提高了的稳定性,但同时也带来了新的挑战,如热管理问题和加工难度增加。更厚的意味着在制造过程中,热量的分布可能更不均匀,
    发表于 03-25 10:16 1939次阅读
    半导体<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>直径与<b class='flag-5'>厚度</b>之间的关系

    一文看懂级封装

    共读好书 在本文中,我们将重点介绍半导体封装的另一种主要方法——级封装(WLP)。本文将探讨级封装的五项基本工艺,包括:光刻(Pho
    的头像 发表于 03-05 08:42 1356次阅读
    一文看懂<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>级封装