IGBT是中高压应用的主要器件。为满足越来越多的对稳健、高效和具有成本效益的电源解决方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先进的载流子储存沟栅场截止(FS)工艺,为工业应用带来高可靠性的同时,提高功率密度。
安世半导体的IGBT功率半导体产品总监史威将于2024年12月19日(周四)下午1530带来以《高可靠性IGBT的新选择——安世半导体650V IGBT介绍及其优势》为主题的网络研讨会。
届时他将深入解析安世半导体TO247 - 3封装的650V IGBT,并阐述其大幅优化的关断损耗与关断过压尖峰,如何达成较低温升与卓越效率,并探讨其在系统功率转换及电机驱动方面的应用优势。
直播主题
高可靠性IGBT的新选择——安世半导体650V IGBT介绍及其优势
直播时间
2024年12月19日(周四)下午1530
直播大纲
1. 安世半导体IGBT产品系列介绍
2. 安世半导体650V IGBT产品的特点及应用优势
直播讲师
史威
安世半导体(德国)
功率半导体产品总监
从事功率半导体器件(IGBT, SiC MOSFETs)运用需求,产品定义及市场推广工作多年。现任安世半导体(德国)功率半导体产品总监,规划主导IGBT产品路线。
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Nexperia(安世半导体)总部位于荷兰,是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有14,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia(安世半导体)的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia(安世半导体)为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准,获得广泛认可。Nexperia(安世半导体)拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证,充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。
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原文标题:参会有礼 | 安世高可靠性IGBT:揭开工业应用新宠的面纱
文章出处:【微信号:Nexperia_China,微信公众号:安世半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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