上海贝岭亮相第五届汽车电驱动及关键威廉希尔官方网站 大会

此前，2024年11月27-28日，上海贝岭参加由盖世汽车主办的第五届汽车电驱动及关键威廉希尔官方网站 大会。本次展会，上海贝岭展示了汽车电子相关产品及应用方案。

BELLING

产品推荐

一、“IGBT+FRD” 组合1

「BELLING」

BLQG200T120是1200V 200A的IGBT DIE，该产品是基于贝岭Trench-FS Gen5威廉希尔官方网站 平台，具有开关损耗低，高可靠性和强短路鲁棒性的特点。其正面采用虚拟trench和有效trench的搭配，来优化器件的电容和电荷参数，实现低开关损耗和快速开关特性。背面采用多次H FS工艺，优化器件的抗EMI能力，同时芯片具有强短路能力。终端采用优化的场板场限环终端，保证器件最高工作结温175℃以及高可靠性。

BLQG200T120特性

VCE最低1200V，持续电流200A @100℃，最高脉冲电流400A

VCE (sat)@Vge=15V，仅1.85V，导通压降低，导通损耗低

工作结温范围：-40~175℃

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

BLK105N120 为FRD DIE，该款芯片与IGBT配套，采用寿命控制威廉希尔官方网站 ，具有较低的反向恢复电流和反向恢复时间。

BLK105N120特性

VBR最低1200V，正向导通电流200A@100℃

正向导通压降2.0V@200A，Tc=25℃

工作结温范围：-40~175℃

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

“BLQG200T120+ BLK105N120”典型应用

通过不同的并联封装，可实现在800V平台新能源汽车不同功率的拖动电机驱动。

二、“IGBT+FRD” 组合2

「BELLING」

BLQG275T75为IGBT DIE，该产品是基于贝岭Trench-FS Gen7 威廉希尔官方网站 平台，具有正向压降小、开关速度快，开关损耗低、高可靠性等特点。其采用第七代微沟槽栅威廉希尔官方网站 ，优化了导通压降和开关损耗，实现更好的输出特性及高可靠性。采用优化的多层场截止威廉希尔官方网站 ，改善了器件在不同母线电压和栅电阻下的短路表现。采用优化的结终端威廉希尔官方网站 ，实现175℃的最高工作温度、高可靠性以及强鲁棒性。

该款芯片完成全面的车规认证，特别为工作频率在5 至20kHz的硬开关电路设计，主要面向新能源汽车应用市场。该芯片针对电动汽车驱动应用特点特别优化损耗分布，优化正温度系数，使得该芯片易于并联使用，保证了产品的易拓展性，可通过不同封装形式满足不同功率等级的应用。

BLQG275T75F特性

VCE 最低750V，持续电流275A@100℃，最高脉冲电流550A

VCE (sat )@Vge=15V，仅1.4V，导通压降低，导通损耗低

工作结温范围：-55~175℃

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

BLQK275N75 为FRD DIE，该款芯片与IGBT配套，采用寿命控制威廉希尔官方网站 ，具有较低的反向恢复电流和反向恢复时间。

BLQK275N75特性

VBR最低750V，正向导通电流275A@100℃

正向导通压降1.56V@150A，Tc=25℃

工作结温范围-40~175℃

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

“BLQG275T75F+ BLQK275N75”典型应用

以TO-247PLUS 单管封装可广泛应用于最高40kW的汽车主驱逆变器，适合A0级和A00级纯电动汽车。

以HPD等形式的750V IGBT功率模块可广泛应用于最高120kW的汽车主驱逆变器，适合A级纯电动及混合动力汽车。

三、SiC MOSFET系列

「BELLING」

BLQC75N120、BLQC40N120、BLQC16N120、BLQC13N120均为N沟道增强型平面MOSFET，采用第三代半导体材料——碳化硅，具有低导通电阻、低电容和栅极电荷、优异的开关性能等优点。与硅相比，该器件可以为电力电子系统应用提供更高的效率、更快的工作频率和更紧凑的系统尺寸。

BLQC75N120特性

VDS 最低1200V，持续电流40A，30A @100℃，最高脉冲电流80A

RDS(ON)典型值75mΩ@15V、50mΩ@20V，导通电阻低

开关损耗低

工作结温范围：-40~175℃

100% 雪崩测试

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

典型应用：

OBC

DCDC

空调电子压缩机

开关电源

BLQC40N120特性

VDS 最低1200V，持续电流70A，50A@100℃，最高脉冲电流160A

RDS(ON)典型值40mΩ@15V、26mΩ@20V，导通电阻低

开关损耗低

结工作温范围：-40~175℃

100% 雪崩测试

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

典型应用：

OBC

DCDC

空调电子压缩机

充电桩

BLQC16N120特性

VDS 最低1200V，持续电流120A，85A@100℃，最高脉冲电流300A

RDS(ON)典型值16mΩ@18V、14.5mΩ@20V，导通电阻低

开关损耗低

工作结温范围：-40~175℃

100% 雪崩测试

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

典型应用：

主驱

OBC

充电桩

BLQC13N120特性

VDS 最低1200V，持续电流152A，108A@100℃，最高脉冲电流310A

RDS(ON)典型值13mΩ@18V、10mΩ@20V，导通电阻低

开关损耗低

工作结温范围：-40~175℃

100% 雪崩测试

通过AEC-Q101认证，满足车规需求

典型应用：

主驱

OBC

充电桩

四、功率模块系列

「BELLING」

BLQGMS820T75FEDL7

BLQGMS820T75FEDL7是一款非常紧凑的六单元IGBT HPD模块，采用贝岭第7代沟槽栅场阻止层结构；具有极低的VCE (sat)，正温系数，优化的栅电荷和米勒电容；具有强的抗EMI能力和短路能力。

BLQGMS820T75FEDL7特性：

采用贝岭第7代沟槽栅场阻止层结构

VCES最低750V，持续电流820A，450A@80℃，最高脉冲电流1640A

VCE (sat)@Vge=15V，仅1.2V@25℃，具有极低的VCE (sat)，正温系数，优化的栅电荷和米勒电容

具有强的抗EMI能力和短路能力

典型应用：

适用于电动汽车和混动汽车的逆变主驱，以及电机驱动等应用。

BLGMF600T120FCDS4

BLGMF600T120FCDS4是基于贝岭第四代先进的沟槽场截止威廉希尔官方网站 （T-FS4）的IGBT半桥模组（E3），并集成了一个NTC温度传感器。其具有低VCE (sat)、优化的开关性能等特点。

BLGMF600T120FCDS4特性：

采用贝岭第4代沟槽栅场阻止层结构

VCES最低1200V，持续电流1200A，600A@80℃，最高脉冲电流1200A

VCE (sat)@Vge=15V，仅1.75V@25℃，具有低VCE (sat)，正温系数，优良的开关性能

具有高可靠性，强短路能力

典型应用：

适用于大功率逆变器，风力发电，工业焊机，以及工业UPS系统等应用

IGBT是适用于电机驱动器、UPS 的器件

如需进一步了解上海贝岭产品，可关注上海贝岭官网以获得更新的产品信息，上海贝岭亦可为您提供更贴合贵公司需要的产品定制化服务，欢迎垂询。