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SiO2薄膜的刻蚀机理

中科院半导体所 来源:Tom聊芯片智造 2024-12-02 10:20 次阅读

本文介绍了SiO2薄膜的刻蚀机理。

干法刻蚀SiO2的化学方程式怎么写?刻蚀的过程是怎么样的?干法刻氧化硅的化学方程式?

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如上图,以F系气体刻蚀为例,反应的方程式为: SiO2(s)+ CxFy +Ar(+)>SiF4 (g)+ CO(g) CxFy是来自刻蚀气体(如CF₄、CHF₃)解离产生的氟自由基,用于氧化硅的化学刻蚀。 Ar(+)是被加速的高能离子,起到物理轰击的作用。 SiF4 :四氟化硅,气相形式的挥发性产物。 CO:一氧化碳,副产物。 红色箭头代表离子轰击,高能离子轰击表面,破坏SiO₂分子的键,为自由基提供更多反应位点,同时起到“方向性”作用,使刻蚀更具各向异性。 绿色箭头代表氟自由基,即CxFy。Ar离子轰击与化学刻蚀的结合,才能显著提高刻蚀速率。单一的物理或化学机制均不足以实现高效刻蚀。 离子与中性粒子比值对反应速率的影响

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如上图: 中性粒子(自由基)浓度:Ar(+)浓度:当比值较低时,刻蚀速率主要受自由基的浓度限制。在高比值时,Ar离子轰击成为限制因素,刻蚀速率趋于饱和。

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原文标题:SiO2薄膜的刻蚀机理

文章出处:【微信号:bdtdsj,微信公众号:中科院半导体所】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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