0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Littelfuse发布超级结X4-Class功率MOSFET

力特奥维斯Littelfuse 来源:力特奥维斯Littelfuse 作者:力特奥维斯Littel 2024-11-26 14:21 次阅读

提供业界领先的低通态电阻,使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化,性能得到提升。

Littelfuse隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Class功率MOSFET

超级结X4-Class 200V功率MOSFET

这些新器件在当前200V X4-Class超级结MOSFET的基础上进行扩展,有些具有最低导通电阻。这些MOSFET具有高电流额定值,设计人员能够用来替换多个并联的低额定电流器件,从而简化设计流程,提高应用的可靠性和功率密度。此外,SOT-227B封装的螺钉安装端子可确保安装坚固稳定。

这些新的200V MOSFET提供最低的导通电阻,增强并补充了现有的Littelfuse X4-Class超级结系列产品组合。与当下最先进的X4-Class MOSFET解决方案相比,这些MOSFET的额定电流最高可提高约2倍,导通电阻值最高可降低约63%。

新型MOSFET非常适合必须最大限度降低导通损耗的一系列低压功率应用,包括:

电池储能系统(BESS)

电池充电器

电池成型

DC/电池负载开关,以及

电源

“新器件将允许设计人员用一个器件解决方案取代多个并联的低额定电流器件。”Littelfuse全球产品营销工程师Sachin Shridhar Paradkar表示,“这种独特的解决方案简化了栅极驱动器设计,提高了可靠性,改善了功率密度和PCB空间利用率。”

超级结X4级功率MOSFET具有以下主要性能优势:

低传导损耗

最少的并行连接工作量

驱动器设计简化,驱动器损耗最小

简化的热设计

功率密度增加

为什么对于看重极小导通损耗的应用来说具有低导通电阻的MOSFET是首选?

对于看重极小导通损耗的应用来说,具有低导通电阻(RDS(on))的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是理想选择。这类器件能显著降低工作期间的功耗,从而降低传导损耗,提高效率,并减少发热。因此,它们非常适合电源、电机驱动器和电池供电设备等功率敏感型应用,在这些应用中,保持高效率和热管理至关重要。

性能指标

5f907334-ab94-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

供货情况

超级结X4-Class功率MOSFET以每管10支的形式供货。可通过Littelfuse全球各地的授权经销商索取样品。如需了解Littelfuse授权经销商名单,请访问 Littelfuse.com。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    147

    文章

    7198

    浏览量

    213614
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    27502

    浏览量

    219734
  • 封装
    +关注

    关注

    127

    文章

    7941

    浏览量

    143093
  • Littelfuse
    +关注

    关注

    5

    文章

    240

    浏览量

    96560

原文标题:【新品介绍】​Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET

文章出处:【微信号:Littelfuse_career,微信公众号:力特奥维斯Littelfuse】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    Littelfuse收购Elmos多特蒙德晶圆厂

    近日,Littelfuse公司已成功完成了对Elmos位于多特蒙德的晶圆厂的收购,交易金额高达9300万欧元(折合人民币约70亿元)。这一举措旨在提升广泛工业终端市场的功率半导体产能,涵盖能源存储
    的头像 发表于 01-02 14:27 115次阅读

    屏蔽栅MOSFET威廉希尔官方网站 简介

    继上一篇超级MOSFET威廉希尔官方网站 简介后,我们这次介绍下屏蔽栅MOSFET
    的头像 发表于 12-27 14:52 805次阅读
    屏蔽栅<b class='flag-5'>MOSFET</b>威廉希尔官方网站
简介

    MOSFET体二极管性能优化

    MOSFET体二极管性能优化                   END  
    的头像 发表于 11-28 10:33 308次阅读

    MOSFET的结构和优势

    在我们进入超MOSFET的细节之前,我们先了解一些背景知识。
    的头像 发表于 10-15 14:47 469次阅读
    超<b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的结构和优势

    评估超功率 MOSFET 的性能和效率

    作者:Pete Bartolik 投稿人:DigiKey 北美编辑 2024-06-12 长期以来,超功率 MOSFET 在高电压开关应用中一直占据主导地位,以至于人们很容易认为一定有更好的替代
    的头像 发表于 10-02 17:51 514次阅读
    评估超<b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的性能和效率

    Littelfuse发布高频MOSFET栅极驱动器新品

    Littelfuse公司近日宣布推出两款创新产品——IX4341与IX4342双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器,专为高频应用精心打造。这两款新品进一步丰富了Littelfuse的IX434
    的头像 发表于 09-20 16:33 480次阅读

    瑞能半导体G2超MOSFET在软硬开关中的应用

    根据Global Market Insights的调查,超级MOSFET在去年在能源和电力领域中的市场份额超过30%,覆盖了电动车充电桩、服务器和数据中心电源、LED驱动、太阳能逆变器、家电控制等多个领域。预计到2032年,全
    的头像 发表于 07-29 14:38 415次阅读
    瑞能半导体G2超<b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在软硬开关中的应用

    使用快速恢复二极管MOSFET在电源中的应用

    超级”威廉希尔官方网站 由于其优越的品质因数,已经在击穿电压超过600V的功率MOSFET市场中占据主导地位。在设计基于超级
    的头像 发表于 06-14 11:35 587次阅读
    使用快速恢复二极管<b class='flag-5'>MOSFET</b>在电源中的应用

    功率 MOSFET、其电气特性定义

    依赖性该特性是用于设计在预定工作电流Id的情况下在什么栅极驱动电压下影响V_DS(on)区域(导通电阻区域)的特性曲线。对于功率MOSFET,根据栅极驱动工作电流生产10V驱动元件、4V驱动元件、
    发表于 06-11 15:19

    Littelfuse发布IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器

    近日,Littelfuse公司发布了IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器,这款新型驱动器在业界引起了广泛关注。
    的头像 发表于 05-23 11:34 757次阅读

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体
    的头像 发表于 05-23 11:26 817次阅读

    威世科技发布创新PowerPAK 8 x 8LR封装功率MOSFET

    威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一项重大威廉希尔官方网站 突破,推出了首款采用新型PowerPAK® 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。这款新型
    的头像 发表于 05-10 10:48 858次阅读

    利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半导体

    尽管传统高压平面MOSFET取得了进步,但由于阻断或漏源击穿电压因厚度、掺杂和几何形状而变化,因此局限性仍然存在。本文将讲解超级MOSFET(例如意法半导体的MDmesh威廉希尔官方网站 )通过晶
    的头像 发表于 04-23 10:49 453次阅读
    利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN <b class='flag-5'>功率</b>半导体<b class='flag-5'>结</b>

    P沟道功率MOSFETs及其应用

    随着现代低压应用的发展,Littelfuse P沟道功率MOSFET满足了当今电力电子不断发展所需的通用功能。Littelfuse P沟道MOSFETs的广泛应用,为工业和汽车应用设计
    的头像 发表于 04-07 18:29 1524次阅读
    P沟道<b class='flag-5'>功率</b>MOSFETs及其应用

    Littelfuse N沟道和P沟道功率MOSFET的比较分析

    Littelfuse P沟道功率MOSFETs,虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名,在传统的应用范围也较有限,然而,随着低压(LV)应用需求的增加, P沟道功率MOSFET的应用
    的头像 发表于 04-02 14:27 1489次阅读
    <b class='flag-5'>Littelfuse</b> N沟道和P沟道<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的比较分析