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AI带动HBM、LPDDR5畅旺,明年内存市场预判

花茶晶晶 来源:电子发烧友网 作者:黄晶晶 2024-11-25 07:31 次阅读
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)在日前由TrendForce集邦咨询主办的MTS2025存储产业趋势研讨会上,集邦分析师们都提到AI对存储乃至半导体产业的推动。

集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示,AI应用带动高效能运算芯片需求发烧已持续近两年,高算力应用成为先进制程及晶圆代工产业最大驱动力。

自2025年起,除了AI芯片供货商及CSPs自研芯片,内存供货商也因应高算力需求,争相寻求先进制程晶圆代工伙伴合作;区域竞争下更让全球半导体格局发生重大变革,无论先进工艺与封装工艺都将是未来的致胜关键。

此外晶圆厂上中下游配套IP、设计服务及封测生态已成为AI领域竞赛的必要资源。除先进制程的商机外,Edge AI是否能为需求沉寂已久的成熟制程注入新活力,2025年的晶圆代工产业在Cloud AI与Edge AI的发展下将如何变革成为关注焦点。

集邦咨询研究经理刘家豪认为,明年服务器市场有所改善,随着全球AI服务器市场对云端服务供货商(CSPs)及品牌业者对AI基础设施需求不断增强,预计2025年AI服务器的出货量将持续攀升至约15%。

对于AI对内存产业的影响,TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷结合供给端和需求端、以及明年的市场展望,做了专业深入的分享。

供给端:HBM是否会供过于求?

从2024年内存市场生产位元成长Production bit growth的情况来看,预计三星明年的生产成长14%,SK海力士接近30%,美光增长 23%,NANYA增长16%。DRAM产能方面,三星在今年年底会达到120K,2025年规划达到170K。

HBM成为一大热门内存产品,吴雅婷分析,其中三星HBM产量占其总内存产量的9%,SK海力士占比达14%,美光由于后段产能不多,因此明年总产出占比为6%。美光的HBM验证状况稳定,目前HBM产能不算太多,今年底25K,明年底45K,市场份额还远低于SK海力士和三星电子这两家韩系厂商

那么,对于明年HBM会否供过于求的问题,吴雅婷表示,我们始终认为明年HBM的需求非常旺盛,HBM的研发历程以及良率提升的难度会远高于之前的产品,因此目前预测的成长数字有可能会下修的。换言之,不会出现供过于求的情况。

吴雅婷指出,HBM的议价方式是一年一次,大约会在每年4月份发生,由于HBM还是比较热门,因此整体来看明年HBM不太会有缺货的情况,并且价格会持续上涨。

2024年HBM3的占比持续提升,而这个现象在明年会更加明显,预计HBM3e在明年将占所有HBM产出的85%。

三星HBM给英伟达的供货主要是配合H20,目前GB200还没有应用,此外三星HBM也为谷歌供货。SK海力士在今年下半年主力提供HBM给英伟达H200、GB200产品。美光HBM供应在明年主要集中在MI325和GB300。

2024年的内存供应,一方面是全球DRAM产能没有增加,而HBM快速渗透,HBM相比于DDR5需要用到更多wafer,因此影响内存供应量,从而带动内存价格上涨。

另一方面,疫情之后整个智能手机的出货量增速放缓,2024年由于内存价格上涨,各家厂商在手机中增加更多内存的意愿降低。若明年增长,则寄希望于AI手机的普及带动单机搭配容量的上升。

吴雅婷指出,明年LPDDR5将成为主流,其中LPDDR5在智能手机上的占比会提升到55%。

需求端:AI LPDDR 和 AI Server DRAM高成长

通用型Server DRAM 和 Mobile DRAM需求量占比最高,但AI LPDDR 和 AI Server DRAM成长性更好,正在成为市场下一个引领力量。

至于为何AI用LPDDR5越来越多,吴雅婷解释说,英伟达的Grace CPU制造工艺是用onboard的方式打在板子上,后续英伟达会将LPDDR5X以模组形式出货。预测算明年LPDDR5X 在 AI Server上的成长率会超过40%。同时,这将排挤 LPDDR5应用于智能手机的出货量。总体,明年LPDDR5的价格表现会比LPDDR4更有支撑度。

HBM需求方面,英伟达仍然是最大采购客户,今年占比达58%,明年预计是73%。在HBM价格坚挺,如若有价格弱化的情况也主要是BM2e或HBM3。随着HBM3E的持续渗透,明年有望占比超过8成。价格方面,HBM3e 12hi以每字节的价格来看,相比8hi的产品价格要贵10%到 15%。

集邦咨询认为明年HBM的产品均价成长会接近18%,当然并非每家厂商都有如此增长,要视厂商拿到的英伟达份额多少来看。

值得注意的是LPDDR的价格有向下的趋势,过去两三季度智能手机厂商积极消化库存,采购LPDDR4、LPDDR5意愿不强,不过随着库存水位的下降,有望在明年一季度开始畅旺地采购,从而拉动LPDDR的价格。

明年内存行情如何?

吴雅婷表示,预计2025年DRAM产值仍创历史新高,主要原因是HBM这一高价产品的渗透率提升。总体上明年供给位元成长25%,需求成长23%,因此每一家供应商对于明年的产能规划需要非常谨慎。

2025年HBM占内存整体市场份额接近9%,但由于价格高,对整个营收贡献达34%,甚至40%。如果DRAM价格跌幅进一步加深,HBM的占比相应会提高。而几家内存大厂的获利情况要视其在HBM上的竞争力以及HBM的供给量而定。

价格方面,2024年第四季度,终端厂商一直库存去化,造成一般型DRAM(Conventional DRAM)价格下降,每季大概下跌3%到8%,即便加上HBM 7个季度的表现,整体的DRAM价格仍有1%到 5%的下跌。明年上半年,因为消费型需求没有大回温的迹象,需求仍比较弱,整体的价格主要靠HBM支撑,预计整体DRAM在明年一季度的下跌会到10%,第二季度、第三季度跌幅缩小。

如若Conventional DRAM 的需求减少的同时,供应商压缩产能,那么明年下半年情况可能会有所改变。预计第三季、第四季整体 DRAM 的价格上涨。

Mobile DRAM方面,LPDDR4X和LPDDR5X市场表现不同,LPDDR4X供应量大,随着智能手机向 LPDDR5迁移,LPDDR4的价格走势面临挑战。而LPDDR5X在AI上应用越来越广泛,表现更稳健。

HBM3e依旧是明年的重点,占比到80%以上,尤其在12hi的产品,至于三大厂商的市场份额竞争,还得看部分厂商在英伟达的推进进度。

总体上,AI、通用服务器的内存需求表现良好,期待消费电子的需求增长,同时内存厂商调控Conventional DRAM的产能需因时而动。
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