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CMPA601C025F 6-12GHz频段的25瓦GaN功率放大器

立年电子科技 2024-11-22 18:22 次阅读

前言

今天到手的是款MACOM的CMPA601C025F 6-12GHz频段的25瓦GaN功率放大器

这篇文章就带大家一起了解这款GaN功率放大器(结合官方提供的数据手册PDF来分析了解)

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CMPA601C025F


名称与基本描述

  • 型号:CMPA601C025F
  • 封装类型:440213。
  • 功率与频率范围:该器件是一款6.0-12.0 GHz频段的25瓦GaN功率放大器,基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,并且采用了硅碳(SiC)基板。
  • 工艺威廉希尔官方网站 :0.25 μm 栅极长度制程,结合硅碳基板,使得该放大器具有较高的功率密度和效率。
  • 封装描述:采用10引脚金属/陶瓷法兰封装,尺寸为25 mm x 9.9 mm,具有热增强特性,非常适合高功率应用。

主要性能参数

  • 信号增益:在6.0至12.0 GHz频段内,小信号增益在31-37 dB之间。
  • 输出功率:在输入功率为22 dBm时,输出功率可达34-51瓦。
  • 功率增益与PAE:在不同频率下,功率增益最高为25 dB,功率附加效率(PAE)在21-36%之间,显示了其在高频率下的良好效率表现。

应用场景

  • 该器件可用于电子干扰放大器、测试设备和宽带功率放大器等场合。

最大绝对额定值与电气特性

最大绝对额定值(不可同时满足):

  • 漏-源电压(VDSS):最大值为84V。
  • 栅-源电压(VGS):范围为-10 V至+2 V。
  • 存储温度范围:-40ºC到+150ºC。
  • 结温:最大允许结温为225ºC。
  • 焊接温度:最大焊接温度为245ºC。

电气特性:

  • 门限电压(VTH):在漏电压为10V、漏电流为23mA时,门限电压在-3.8V到-2.3V之间。
  • 漏-源击穿电压(VBD):最小值为84V,典型值可达100V。

CMPA601C025F官方PDF演示的性能图例

小信号S参数与频率的关系

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  • 描述了S11、S21和S22在不同频率下的表现。该图表明CMPA601C025F在整个工作频率范围内保持了较低的反射损耗和较高的增益,表现出良好的输入输出阻抗匹配特性。

输出功率、增益和PAE与输入功率的关系

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  • 在输入功率增加的情况下,输出功率、增益和功率附加效率的变化趋势。这对于工程师评估器件的增益线性度和效率特性有重要意义。

功率附加效率(PAE)与输入功率的关系

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  • 分析不同频率下,PAE随着输入功率变化的趋势,可以看到在6 GHz、9.5 GHz和12 GHz频率下的效率表现。

输出功率与输入功率的关系

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  • 展示了输出功率随输入功率的变化曲线,反映了放大器在不同频率下的输出线性度。

增益与输入功率的关系

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  • 反映了不同频率下,功率增益随着输入功率增加的变化趋势。可以看到,随着输入功率的增加,增益保持了较为稳定的特性。

功耗降额曲线

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  • 显示了随温度变化的功耗降额关系,帮助用户了解在不同温度条件下如何合理管理器件的功耗。

演示电路原理

  • (官方也有做好的成品测试板子CMPA601C025F-AMP,这里提醒下CMPA601C025F-AMP是包含1个CMPA601C025F的哦
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  • 展示了CMPA601C025F的演示放大器电路的详细电路图,为设计工程师提供了实际的应用设计示例。

封装信息及引脚定义

引脚定义:

  • 每个引脚的功能定义,包括栅极偏置、漏极偏置、输入(RFIN)和输出(RFOUT)等。封装设计为金属/陶瓷法兰,以便提高热导性能,减少功率器件在高功率应用中的热损坏风险。
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以上信息来自MACOM官网及PDF及互联网,如有侵权请告知,希望这篇文章带你了解该型号的特性。

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