ESD HBM测试差异较大的结果分析

ESD HBM测试结果差异较大的原因，通常包括设备/仪器差异、‌校准和维护水平不同、‌环境条件差异、‌测试样本差异、‌测试操作员技能和经验差异以及测试方法选择的不同。

其中，可能导致结果差异较大的首先应属于设备和仪器差异，其次是测试操作员技能和经验，其他原因一般不会导致特别大的差异。

季丰电子ESD实验室已通过ANSI20.20的环境认证、CNAS、IEC17025等管理体系的认证，实验室对设备校准和环境的管理十分严格，可以有效保证检测结果的准确性和时效性。

案例分析

案例描述：OUT 管脚对VDD管脚打负向静电，一个结果PASS -6000V,一个结果-2500V失效，同批次的芯片经过了功能筛选，使用的同一家品牌的设备测试HBM，同一家实验室，然而出现了结果差异较大的问题。

有了以上的信息支撑，实验室在对比了测试程序，测试方案及方法，同一个程序，同一个设备，同样的测试规范，没有发现有什么问题。最后确认是使用了不同的通道导致的差异。问题是，到底是测试板的问题还是放电通道的问题，是不是通道放电异常导致的呢？实验室直接抓取了两个测试板使用的对应通道的短路放电电流波形，如下所示：

如图AB,从图中可得知

放电能力相当，而怀疑点恰恰在于上升沿Tr参数有略差，A 图中Tr 为8.793ns， B图中Tr为6.520ns，虽有差异，但均是符合Js001的测试规范。

对比了两块测试板的通道位置的距离，A板是跨通道板走线稍长，B板则是在同一通道板走线较近一些，所以这个Tr的不同也可以理解，怀疑是芯片对Tr是比较敏感的，所以果断通过TLP测试的验证。

图A

图B

如图TLP-A，TLP-B

可以清楚地看出，在图TLP-A 上升沿采用的是10ns，结果2.7A还没有出现失效，但是在图TLP-B中，上升沿采用的是2ns，结果1.6A就出现了失效；

所以经过折算到HBM来看，此两次测试的HBM结果不同，结论是因为芯片对静电的上升沿非常敏感导致。

图TLPA

图TLPB

季丰电子

季丰电子成立于2008年，是一家聚焦半导体领域，深耕集成电路检测相关的软硬件研发及威廉希尔官方网站 服务的赋能型平台科技公司。公司业务分为四大板块，分别为基础实验室、软硬件开发、测试封装和仪器设备，可为芯片设计、晶圆制造、封装测试、材料装备等半导体产业链和新能源领域公司提供一站式的检测分析解决方案。

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