侧墙工艺是什么意思

与亚微米工艺类似，侧墙工艺是指形成环绕多晶硅的氧化介质层，从而保护LDD 结构，防止重掺杂的源漏离子注入到LDD结构的扩展区。侧墙是由两个主要工艺步骤形成，首先淀积 ONO 结构，再利用各向异性干法刻蚀去除表面的 ONO，最终多晶硅栅侧面保留一部分二氧化硅。侧墙工艺不需要掩膜版，它仅仅是利用各向异性干法刻蚀的回刻形成的。

1）淀积 ONO 介质层。ONO是二氧化硅，Si3N4和二氧化硅。首先利用LPCVD淀积一层厚度约200~300A的二氧化硅层，它作为Si3N4刻蚀的停止层，另外它也可以作为缓冲层减少 Si3N4对硅的应力。再利用LPCVD 淀积一层厚度约300~400A的Si3N4层，它可以防止栅与源漏的相互漏电。最后一层二氧化硅是利用 TEOS 发生分解反应生成二氧化硅层，厚度约1200A。图4-200所示为淀积 ONO的剖面图。

2）侧墙刻蚀。利用干法蚀刻去除二氧化硅和Si3N4，刻蚀停在底部的二氧化硅上。因为在栅两边的氧化物在垂直方向较厚，在蚀刻同样厚度的情况下，拐角处留下一些不能被蚀刻的氧化物，因此形成侧墙。侧墙结构可以保护 LDD 结构，也可以防止栅和源漏之间发生漏电。图4-201所示为侧墙刻蚀的剖面图。