近日,韩国三星电子公司透露了一个引人瞩目的消息,有可能在不久的将来向美国的人工智能巨头英伟达提供其先进的高带宽存储器(HBM)。这一消息无疑为科技界带来了新的期待。
值得一提的是,三星电子在HBM领域的竞争对手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。据悉,SK海力士已经开始量产业界领先的12层HBM3E芯片。这一消息无疑加剧了HBM市场的竞争态势。
然而,对于三星电子来说,向英伟达供应HBM不仅是一个重要的商业机会,更是展示其威廉希尔官方网站 实力和市场影响力的重要契机。通过与英伟达的合作,三星电子有望进一步巩固其在HBM市场的领先地位,并为未来的发展奠定坚实的基础。
综上所述,三星电子或向英伟达供应先进HBM的消息无疑为科技界带来了新的期待。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
三星电子
+关注
关注
34文章
15859浏览量
180986 -
人工智能
+关注
关注
1791文章
47183浏览量
238265 -
英伟达
+关注
关注
22文章
3770浏览量
90990 -
HBM
+关注
关注
0文章
379浏览量
14746
发布评论请先 登录
相关推荐
HBM格局生变!传三星HBM3量产供货英伟达,国内厂商积极布局
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据韩媒sedaily 的最新报道,三星华城17号产线已开始量产并向英伟达供应
英伟达加速认证三星AI内存芯片
芯片。作为当前市场上最先进的内存威廉希尔官方网站
之一,HBM3E(High Bandwidth Memory 3 Enhanced)以其超高的带宽和低功耗特性而备受瞩目。英伟达正在对
三星电子HBM3E商业化遇阻,或重新设计1a DRAM电路
近日,业界传出三星电子HBM3E商业化进程迟缓的消息,据称这一状况或与HBM核心芯片DRAM有关。具体而言,1a DRAM的性能问题成为了三星
三星HBM3E内存挑战英伟达订单,SK海力士霸主地位受撼动
进入八月,市场传言四起,韩国存储芯片巨头三星电子(简称“三星”)的8层HBM3E内存(新一代高带宽内存产品)已顺利通过英伟
三星电子否认HBM3e芯片通过英伟达测试
韩国新闻源NewDaily近日发布了一则报道,声称三星电子的HBM3e芯片已成功通过英伟达的产品测试,预示着即将开启大规模生产并向
三星HBM研发受挫,英伟达测试未达预期,如何满足AI应用GPU的市场需求?
据DigiTimes报道,三星HBM3E未能通过英伟达测试可能源于台积电审批环节出现问题。三星与台积电在晶圆代工领域长期竞争,但在
三星HBM芯片因发热和功耗问题影响测试,与英伟达合作暂时搁浅
这是三星首次公开承认未能通过英伟达测试的原因。三星在声明中表示,HBM是定制化存储产品,需“依据客户需求进行优化”,并强调正与客户紧密合作以
三星HBM芯片遇阻英伟达测试
近日,三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片在英伟达测试中遭遇挫折。据知情人士透露,芯片因发热和功耗问题未能达标,影响到了其
英伟达寻求从三星采购HBM芯片
英伟达正在寻求与三星建立合作伙伴关系,计划从后者采购高带宽存储(HBM)芯片。HBM作为人工智能(AI)芯片的核心组件,其重要性不言而喻。与
评论