Vishay漏极至源极耐压MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE3
Vishay TrenchFET第四代MOSFET是新一代TrenchFET系列功率MOSFET，具有业内超低导通电阻RDS(on)的特性，进一步降低了导通损耗以及功耗。并拥有低栅极总电荷的特性。采用PowerPAK SO-8封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。应用于大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。
应用框图
特性
源漏极导通电阻RDS(on): 0.00090Ω/ 0.00175Ω
栅极电荷典型值Qg (Typ.): 39.1nC/ 42.5nC
持续源漏极导通电流(TC=25°C): 241A/ 165A
100%通过Rg和UIS测试
材料兼容Pb-free RoHS标准
应用领域
同步整流
初级侧开关
DC/DC转换器
太阳能微型逆变器
电机驱动开关
电池和负载开关
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
147文章
7158浏览量
213153 -
Vishay
+关注
关注
20文章
879浏览量
116239 -
电机驱动
+关注
关注
60文章
1216浏览量
86724
发布评论请先 登录
相关推荐
MOSFET电路栅源极GS之间并联电容后，MOS管为什么会炸管？原因分析
MOSFET炸管也有三大原因，电压，电流，温度，比如MOSFET漏源极两端的电压超过了最大极限值，或者M
mos管源极和漏极电流相等吗
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它在电子电路中扮演着开关和放大器的角色。MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、
mos管漏极电压增大,为什么沟道变窄
通过以下几个方面来解释： 1. MOSFET的基本结构和工作原理 MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、
使用PGA300EVM-034，选项ADC Calibration Mode里的“3P-1T” “2P-2T” “3P-3T” 是什么意思？
请教一下，我在使用PGA300EVM-034，在Guided Calibration -> Calibration Setting File 里面，配置文件里有一个选项ADC Calibration Mode ，请问这里的“3P-1T” “2P-2T” “
发表于 08-14 07:58
晶体管的漏极与源极有什么区别
在探讨晶体管的漏极（Drain）与源极（Source）的区别时，我们首先需要明确晶体管的基本结构和工作原理。晶体管，尤其是场效应晶体管（FET），是一种通过控制输入回路的电场效应来控制
射频微波T1G4020036T1G4020036-FL英文手册
电子发烧友网站提供《射频微波T1G4020036T1G4020036-FL英文手册.pdf》资料免费下载
发表于 08-06 14:57
•1次下载
MOS管源极和漏极是什么意思
（Source, S）和漏极（Drain, D）是两个关键的电极，它们与栅极（Gate, G）共同构成了MOS管的基本结构。以下是对MOS管源极和漏
STM8AF5288T不带ADC1吗？
) || defined(STM8S207) || defined (STM8S007) || defined (STM8AF52Ax) || defined (STM8AF62Ax)
这样是说明STM8AF5288T没有ADC1吗？
发表于 05-10 08:30
SP1T引脚二极管开关PULSAR
60 dB 的最低隔离度。所有的相应开关都是需要 +5VDC 和 -5VDC 才能够使用。SP1T引脚二极管开关典型电流损耗为 +/- 30 mA。需用 0 至 +5VDC 的 TTL 控制逻辑
发表于 02-05 11:01
双向可控硅导通问题，去掉触发信号，T1,T2极也断开了
multisim14 中用双向可控硅MAC12HCDG仿真时，为什么触发电流撤掉后，T1,T2极也断开了灯泡不亮，电路如下图，请帮忙看看电路是否有问题？
发表于 02-04 13:24
mosfet漏极外接二极管的作用 mosfet源极和漏极的区别
漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路中起到了重要的作用，本文将介绍
mos芯片源极漏极栅极在哪 mos管怎么判断漏栅源极
MOS芯片是一种常见的电子器件，其中MOS管（MOSFET）是一种常用的三端器件，包括源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gat
工商网监
评论