SiO₂薄膜的厚度量测原理主要基于光的干涉现象。具体来说,当单色光垂直照射到SiO₂薄膜表面时,光波会在薄膜表面以及薄膜与基底的界面处发生反射。这两束反射光在返回的过程中会发生干涉,即相互叠加,产生干涉条纹。干涉条纹的形成取决于两束反射光的光程差。
- 干涉现象 :
- 当单色光照射到SiO₂薄膜上时,一部分光在薄膜表面反射,另一部分光穿透薄膜在薄膜与基底的界面处反射后再穿回薄膜表面。这两束反射光在空间中相遇并发生干涉。
- 光程差与干涉条纹 :
- 干涉条纹的形成与两束反射光的光程差密切相关。光程差是两束反射光所走路径的长度差。当光程差是半波长的偶数倍时,两束光相位相同,干涉加强,形成亮条纹;而当光程差是半波长的奇数倍时,两束光相位相反,干涉相消,形成暗条纹。
- 膜厚计算 :
- 通过观察和计数干涉条纹的数量,结合已知的入射光波长和SiO₂的折射率,就可以利用特定的计算公式来确定SiO₂薄膜的厚度。具体来说,膜厚仪会根据干涉条纹的数目、入射光的波长和SiO₂的折射系数等参数,利用数学公式来计算出薄膜的厚度。
- 高级威廉希尔官方网站
:
- 现代SiO₂薄膜厚度测量仪器可能还采用了其他高级威廉希尔官方网站 来提高测量精度和可靠性,如白光干涉原理。这种原理通过测量不同波长光在薄膜中的干涉情况,可以进一步精确确定薄膜的厚度。
- 影响因素 :
- 膜厚仪的测量精度受多种因素影响,包括光源的稳定性、探测器的灵敏度以及光路的精确性等。因此,在使用膜厚仪进行SiO₂薄膜厚度测量时,需要确保仪器处于良好的工作状态,并进行定期校准,以保证测量结果的准确性和可靠性。
总结:
SiO₂薄膜的厚度量测原理主要基于光的干涉现象,通过测量反射光波的相位差并利用相关物理参数来计算薄膜的厚度。这种方法在微电子、光学、材料科学等领域具有广泛的应用价值,有助于科研人员和生产人员更好地控制和优化SiO₂薄膜的性能和质量。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
探测器
+关注
关注
14文章
2632浏览量
73001 -
光源
+关注
关注
3文章
703浏览量
67767 -
SIO
+关注
关注
0文章
4浏览量
8912
发布评论请先 登录
相关推荐
sio2_sio2是什么意思
在自然界中sio2二氧化硅的存在是非常广泛的,本内容解释了sio2是什么意思,sio2的物理性质是什么,让大家充分了解sio2
发表于 12-13 10:41
•2.1w次阅读
一种基于梳状滤波器的固体腔厚度测量方法
腔(SiO2)的高精度厚度检测。实验结果表明,该测量方法适用于对透光介质的厚度检测。【关键词】:梳状滤波器;;固体腔厚度;;高精度测量;;滤光片设计;;F-P法珀干涉【DOI】:CNK
发表于 05-13 09:04
测厚仪 ZM100测透明薄膜的厚度
、ZLDS102等多个型号的不同款传感器,且能根据客户具体需求定制,是一款非常不错的能组成在线测厚系统的激光位移传感器。客户需求:测透明薄膜的厚度量程:1-3mm测量方案:采用ZM100激光测径仪检测:将薄膜
发表于 04-08 10:18
芯片制作工艺流程 一
和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时,膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时,膜厚与时间的平方根成正比。因而,要形成
发表于 08-16 11:09
基于SiO2薄膜的915nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究
理论及不同退火温度、不同退火时间、SiO2薄膜厚度、SiO2薄膜折射率、不同盖片等试验参数对制备非吸窗口的影响,并且讨论了Si0,
发表于 02-10 10:16
•0次下载
PECVD沉积SiO2和SiN对P-GaN有什么影响
在等离子增强化学气相沉积法PECVD沉积 SiO2和 SiN掩蔽层过程中!分解等离子体中浓度较高的H原子使MG受主钝化!同时在P-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的N空位。
发表于 12-17 08:00
•17次下载
薄膜厚度的检测威廉希尔官方网站 有哪些
对于薄膜厚度的准确测量,取决于使用什么样的厚度传感器,下面介绍目前在线薄膜厚度的检测威廉希尔官方网站
主要有几种方式。
sio2膜层镀膜如何解决膜裂
SiO₂膜层镀膜过程中出现的膜裂问题,可以通过多种方法来解决。以下是一些主要的解决策略: 1. 优化镀膜工艺 蒸发速度控制 :蒸发速度的设置对膜层厚度有直接的影响,进而影响膜层的应力和均匀性。需要
sio2薄膜在集成电路中的作用
SiO₂薄膜在集成电路中扮演着至关重要的角色,其作用主要包括以下几个方面: 绝缘层 :SiO₂薄膜作为良好的绝缘材料,被广泛应用于集成电路中作为绝缘层。它能够有效地隔离金属互连线和晶体
SiO2薄膜的刻蚀机理
本文介绍了SiO2薄膜的刻蚀机理。 干法刻蚀SiO2的化学方程式怎么写?刻蚀的过程是怎么样的?干法刻氧化硅的化学方程式? 如上图,以F系气体刻蚀为例,反应的方程式为: SiO2(s
评论