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存储卡参考设计——MK品牌 SD NAND

MK米客方德 2024-08-05 17:32 次阅读

电路设计

  1. 参考电路:
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R1~R5 (10K-100 kΩ)是上拉电阻,当SD NAND处于高阻抗模式时,保护CMD和DAT线免受总线浮动。

即使主机使用SD NAND SD模式下的1位模式,主机也应通过上拉电阻上拉所有的DATO-3线。

R6(RCLK)参考0-120Ω。

其他详细电路应用说明,请参考“SDA协会规范”第6章“SD Memory Card Hardware Interface”。

2、电源VDD(VCC_3V3)建议单独供电,且需要注意提供SD NAND电流供电能力不小于200mA。

3、下图是SD协议规定的上电规范,SD NAND的工作电压范围是2.7V-3.6V:

wKgZomawm5aAOHZeAAECil4J9kg991.png

为了确保芯片能正常上电初始化,电压要在0.5V以下至少1ms;电源上升的时候需要保持电源是稳定的、持续上升的,上升到正常工作电压的时间是0.1ms-35ms;主机关闭电源时,将卡的VDD降至0.5伏以下的最小周期为1ms。在断电期间,DAT, CMD和CLK应断开连接或由主机驱动到逻辑0,以避免工作电流通过信号线引出的情况。

Layout设计说明

1、数据线应尽量保持等长,以减少时序偏差和提高信号的同步性。

2、对于CLK时钟线,尽可能进行包地处理。对于走线阻抗,控制阻抗50欧姆。

3、SD NAND芯片最好靠近主控芯片放置,以减少走线长度和干扰。

4、LGA 9*12.5封装焊盘分两侧 2*8分布,其中同名网络 layout 时可以连接在一起,方便后续更换物料时兼容 LGA6.0×8mm,LGA6.6×8.0mm封装(如下图)。

wKgZomawm52AEgqHAAHogynDqU0838.png

5、 layout时GND脚建议采用类似的“十字”或“梅花”型的连接 有利于过炉焊接。防止 GND脚整体铺铜散热很快导致虚焊假焊现象存在(如下图)。

wKgaomawm6OARy3tAAMHofiOAGo208.png

贴片注意事项

1、保存要求:若购买散包装,请务必上线前120℃烘烤8小时。若物料没有全部使用,剩余部分请务必存放于氮气柜或抽真空保存,再次上线前请务必120℃烘烤8小时。

2、贴装顺序:若 PCB有 A、B双面要贴片,建议存储器件最后贴装。

3、焊接:LGA/BGA的封装基板是PCB材质,Pad位于底部,相比TSOP、WSON等金属框架封装,在焊接上更有难度,有条件的尽可能选择液体锡膏和加热台,没有加热台的可以用风枪,风枪温度不要超过 350℃。

解焊:尽可能选择加热台,若必须使用风枪,建议风枪温度控制在 350℃,30秒以内。

4、回流焊

SD NAND回流焊的最高温度若使用无铅焊锡不能超过 260℃(无铅焊锡),若使用无铅焊锡不能超过 235℃,在此峰值温度下,时间不能超过10s.炉温曲线设置可参考 IPC-JEDEC J-STD-020规定要求:

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注:此设计提示适用于以下MK系列SD NAND

wKgZomawm7OACQN6AAZAGxSLHRg087.png

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