汽车水泵是传统内燃机汽车冷却系统中的一个重要部件,它的主要作用是循环发动机冷却液以保持发动机的工作温度稳定。在新能源汽车中,虽然没有了传统的内燃机,但水泵仍然扮演着重要的角色,尤其是在电动汽车(EVs)和插电式混合动力汽车(PHEVs)中。
新能源汽车中的水泵用途:1)电池组冷却:2)电机及逆变器冷却:3)热管理系统集成:新能源汽车往往具备更加复杂的热管理系统,水泵作为其中的一部分,不仅可以用于冷却,还可以用于加热座舱(例如通过热泵系统),以及预热电池等。
综上所述,尽管新能源汽车的动力系统与传统燃油车不同,但水泵仍然是其热管理系统中不可或缺的组成部分,对于保障车辆性能和延长关键部件的使用寿命具有重要作用。
- BLDC电机工作原理介绍
BLDC的基本工作原理是,当通电给其中一相定子绕组时,其产生的磁场与转子产生的磁场之间互相影响,转子便可以转动起来。同时,通过位置传感器得到电机位置信号,并把信号传送给主控制器,然后根据转子信号按照一定的顺序开通或关断功率管,使得 BLDC可以稳定运行。
BLDC的工作原理图如右图所示,A、B、C三相定子绕组通过星型连接,并直接与三相逆变器的开关电路连接。Q1作为电池的防反接保护,三相逆变器包括里六个 MOSFET,上桥臂有 Q2、Q4、Q6,下桥臂有 Q3、Q5、Q7。
图1 汽车水泵MOSFET驱动系统- SMT4005AHPDQ威廉希尔官方网站 参数
- MOSFET控制方式
FOC矢量控制的基本过程为,第一步,通过主芯片的AD采样模块得到电机的三相定子电流,位置传感器检测到转子所在的位置及其角度,然后把位置信号和角度信号用于坐标变换,对电流进行解耦。第二步,通过将Clark和Park变换来完成坐标系的转换。第三步,将设定转速与实际转速反馈量之间的偏值进行 PI调节,其输出用于id和iq, 经过 PI调节,其输出的Vd和Vq相电压经过 Revpark变换,得到Vα和Vβ相电压。最后,利用SVPWM算法,产生PWM控制信号,对系统进行PI双闭环控制。
图2 FOC控制算法- 实物&测试波形
如右图所示,BLDC电机满载功率为70W,工作频率为20KHZ,水泵为离心泵。
图3 测试实物图4 MOSFET Vds和Vgs电压波形在汽车水泵电机驱动系统中,为了能够顺利的通过EMC实验,一般在测试前,6个驱动MOSFET的驱动电压Vgs波形、关断电压Vds波形,振铃的幅值和频率都要求越小越好。
- Vgs波形
在桥式电路中,Vgs波形振铃的产生,主要有两种根源。
图5 dv/dt耦合回路而MOSFET寄生电容之间的关系如下:
因此,
这就意味着,Crss/Ciss的比例越小,Vgs的振铃幅值就越小。SMT4005AHPDQ的Crss/Ciss的比值仅为2.5%。
MOSFET内部等效电路图如下:
图6 MOSFET内部寄生电容及其与电压的关系- 根源2:驱动回路构成的RLC欠阻尼回路
- RLC组成串联谐振电路,当R<2时,系统处于欠阻尼情况 ,在这种情况下,电路发生振荡;
消除振铃的方法:
- 增大驱动电阻R,使其工作在临界阻尼;
Rg上限值:为防止MOS管关断时产生很大的dV/dt使得MOS管再次误开通。一般要求Rg≤Vth/(Cgd*dv/dt),dV/dt可以根据电路实际工作时MOS的D、S间电压和mMOS管关断时D、S电压上升时间求得。
- MOSFET栅极的驱动PCB走线尽可能的短;
- 在GS端并联一个nF级的瓷片电容;
在汽车水泵驱动电路中,大部分研发工程师都会做EMI优化设计,在MOSFET D-S端预留RC snubber电路,以顺利通过EMC实验,参照《CISPR25》标准。
- EMI设计优化
- SGT MOS开关速度较快,Qg通常比较小,关断时,di/dt通常会DS电压波形上形成振铃,对系统的EMI造成一定的困扰。
- 为了减轻振铃的影响,帮助客户顺利通过EMC试验,通常会在MOS D-S端并联RC snubber电路。
- RC snubber电路增加前后的波形对比:
- 在EMC实验室,传导辐射(150 kHz - 150 MHz)测试结果对比:
- 电机母线电压,相电流波形
控制算法为FOC,相电流为正弦波,PID调节。
图7 电机相电流&母线电压波形图8 实验室测试波形- SVPWM控制下MOSFET开关状态
电机相电压波形
第一扇区PWM波形
- MOSFET温升
MOSFET的温升最高为54.7℃,器件整体损耗较小,所以温升不高;在72%负载输出时,系统整体效率超过90%。此外,BLDC电机应用,FOMg代表器件的整体损耗大小。
- PDFN5060封装仿真—仿真环境
图13 PCB Side View
-
仿真输入
- 对两个工作器件不断施加1.5W负载,总功耗为3W;
- 环境温度25˚C;
- 气流为自然静态;
- 瞬态热仿真结构
- 仿真结果
图15 “3”号MOSFET温升
最高温度:127.04˚C
- 仿真结果:温度上升过程(最高温度)
审核编辑 黄宇
-
汽车电子
+关注
关注
3026文章
7943浏览量
166933 -
电机
+关注
关注
142文章
9003浏览量
145349 -
BLDC
+关注
关注
206文章
801浏览量
96872
发布评论请先 登录
相关推荐
评论