安森美有哪些光储充方案和应用案例？

随着脱碳转型的加速，全球能源需求逐步转向部署更多能源基础设施系统，包括直流快速充电器（DCFC）、太阳能逆变器和电池储能系统（BESS）。安森美（onsemi）凭借数十年的威廉希尔官方网站 创新经验，提供可靠、高效的下一代功率半导体，帮助缩短光储充解决方案的开发时间，同时在功率密度和功率损耗方面超越预期。安森美有哪些光储充方案和应用案例？

安森美光储充方案

光伏逆变器

太阳能带来的主要优势在于，只要安装了光伏逆变器系统，它就是一种 "免费"能源。光伏逆变器有多种类型，其类型（集中式、组串式、微型）或终端应用（住宅、商业、大型电站）各不相同。目前，组串式逆变器（string inverter）是最受欢迎的类型，因为它具有灵活且易于安装的特点。随着功率器件的不断更新换代，单套逆变器的功率等级/功率密度不断提高，而单价和体积却越来越小，这使其成为光伏逆变器市场的主流。

集中式光伏逆变器通常安装在大型光伏电站中，具有超高容量。但是，由于安装位置的限制，近年来， 组串式光伏逆变器的新增总容量已经超过了集中式光伏逆变器。微型光伏逆变器主要用于住宅发电，同时也广泛应用于路灯和交通灯等城市基础设施的供电。

与传统的硅基 MOSFET/IGBT 相比，碳化硅器件在高电压应用中更为适用。高电压器件可简化拓扑结构，无需使用多电平转换器。SiC 逆变器解决方案的损耗低于 IGBT 解决方案。

储能

电池储能系统通常与光伏逆变器系统配合使用，目前，额定电压为1500V的光伏逆变器已进入批量生产并投入使用。因此，功率转换系统 (PCS) 的直流电压也需要提升到相同水平。在大功率转换应用中，如光伏逆变器和电动汽车直流充电桩，高压是一个明显的趋势，因为高压可以在相同输出功率下带来更低的电流，减少系统损耗和电缆直径。

然而，高压系统也对元器件提出了挑战。在1500V系统中，一般首选多电平电路中额定电压为 1200 V 的功率器件，或两电平拓扑结构中额定电压为 2000 V 的碳化硅 MOSFET。此外，必须仔细考虑由更高电压和更大功率引起的安全和电磁干扰问题。

充电站

光储充融合的典型应用是光储充一体化的充电站，通过将光伏面板、逆变器、储能变流器、充电电池组与直流快充桩相组合，可以在一定程度上实现自给自足，并为用户提供较为优惠的电价。此类充电站经其初步统计，用到的大功率器件可能超过100个甚至达200个左右，对于功率器件而言是非常大的市场，采用碳化硅器件则是提高系统功率密度与转换效率的一种非常有效的方式。

针对光储充一体化系统，安森美提供全线丰富的IGBT、IGBT+SiC混合模块或全SiC模块产品，包括650V到1200V SiC MOSFET、650V到1700V SiC二极管等，具备高能效、高功率密度和高可靠性，同时辅以各种参考设计和开发工具，以及现场应用支援，帮助客户解决设计挑战。

为满足市场需求，安森美也积极提升自身产能，同时与纬湃科技、上能电气等多家逆变器或储能系统供应商签订了 战略合作协议，充分印证了众多客户对安森美作为值得信赖的行业合作伙伴的认可。