SK海力士携手台积电，N5工艺打造高性能HBM4内存

在半导体威廉希尔官方网站 日新月异的今天，SK海力士再次引领行业潮流，宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK海力士在高性能存储解决方案领域的持续深耕，也预示着HBM内存威廉希尔官方网站 即将迈入一个全新的发展阶段。

据最新消息，新一代HBM内存——HBM4的JEDEC标准正紧锣密鼓地定案中，预示着这一威廉希尔官方网站 的标准化与商业化进程正加速推进。而SK海力士作为业界的佼佼者，其首批HBM4产品（12层堆叠版）已明确时间表，预计将于2025年下半年正式面世。这一产品的推出，无疑将极大满足市场对于更高带宽、更低延迟存储解决方案的迫切需求。

SK海力士与台积电的合作，可追溯至今年4月双方签署的合作谅解备忘录。该备忘录明确了双方在HBM内存基础裸片领域的深度合作意向，旨在通过威廉希尔官方网站 共享与优势互补，共同推动HBM内存威廉希尔官方网站 的革新与发展。此次SK海力士选择台积电的N5工艺版基础裸片来构建HBM4内存，正是这一合作战略的具体体现。

台积电在2024年威廉希尔官方网站 研讨会欧洲场上透露的信息，进一步彰显了其在HBM4内存领域的深厚积累与前瞻布局。据介绍，台积电为HBM4内存准备了两款基础裸片：一款是面向价格敏感性产品的N12FFC+版，另一款则是面向高性能应用的N5版。其中，N5版基础裸片凭借其卓越的性能指标脱颖而出——其面积仅为N12FFC+版的39%，却在同功率下实现了逻辑电路频率的显著提升，高达N12FFC+版的155%；同时，在保持相同频率的条件下，其功耗更是降低至仅有N12FFC+版的35%。这一系列数据无疑彰显了N5工艺在提升HBM4内存性能与能效方面的巨大潜力。

SK海力士选择台积电的N5工艺版基础裸片来构建HBM4内存，不仅是对台积电威廉希尔官方网站 实力的认可，更是对自身产品竞争力提升的一次重要布局。通过这一合作，SK海力士将能够为客户提供更加高效、可靠的HBM4内存解决方案，进一步巩固其在高性能存储市场的领先地位。展望未来，随着HBM4标准的正式确立与产品的逐步落地，我们有理由相信SK海力士与台积电的合作将为整个半导体行业带来更多的惊喜与可能。