0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

消息称三星客户已包下V8-NAND 2025年产能

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-07-01 10:11 次阅读

人工智能AI)威廉希尔官方网站 日新月异的今天,数据中心对大容量固态硬盘(SSD)的需求呈现出前所未有的增长态势。业内最新消息显示,由于NAND闪存供应可能在下半年出现短缺,三星电子的V8-NAND威廉希尔官方网站 正成为市场关注的焦点。

据知情人士透露,三星电子位于西安的工厂在NAND闪存威廉希尔官方网站 的研发上取得了重大突破,成功转向第八代V-NAND工艺。这一威廉希尔官方网站 升级不仅提升了存储密度和性能,还降低了生产成本,为三星在激烈的市场竞争中赢得了先机。

目前,三星已向数据中心客户和手机制造商提供了由西安厂制造的第八代V-NAND样品,以进行严格的验证测试。据称,这些样品在容量、速度和稳定性等方面均表现出色,得到了客户的高度认可。

值得一提的是,已有传言称三星西安工厂已为客户预留了2025年的产能。这一消息无疑进一步证明了三星在NAND闪存市场中的领先地位和强劲实力。业内人士分析认为,数据中心客户对V8-NAND威廉希尔官方网站 的抢订,不仅体现了市场对高性能、大容量存储解决方案的迫切需求,也预示了NAND闪存市场未来的发展趋势。

此外,三星在V8-NAND威廉希尔官方网站 上的突破,也为其在手机、平板电脑等移动设备市场中的竞争提供了有力支持。随着5G物联网等威廉希尔官方网站 的快速发展,移动设备对存储容量的需求也在不断增长。三星的V8-NAND威廉希尔官方网站 不仅提升了存储密度和性能,还降低了生产成本,使得三星在移动设备市场中更具竞争力。

总之,三星在V8-NAND威廉希尔官方网站 上的突破和数据中心客户对2025年产能的抢订,都表明了NAND闪存市场正迎来新的发展机遇。未来,随着威廉希尔官方网站 的不断进步和市场的不断扩大,NAND闪存将在数据中心、移动设备等领域发挥更加重要的作用。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1681

    浏览量

    136125
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15860

    浏览量

    180995
  • 人工智能
    +关注

    关注

    1791

    文章

    47208

    浏览量

    238290
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星MLC NAND闪存或面临停产传闻

    近日,业界传出消息三星电子将大幅削减MLC NAND闪存的产能供给,并计划在2024底停止在现货市场销售该类产品,而到了
    的头像 发表于 11-21 14:16 206次阅读

    MLC NAND产能或遭削减?三星否认停产传闻

    近日,业界传出消息,MLC NAND(多层单元闪存)的产能供给将大幅削减,其中三星电子被指将调整产能。据市场传言,三星计划在2024
    的头像 发表于 11-20 16:13 400次阅读

    方正微电子:2025车规SiC MOS年产能将达16.8万片

    底将增至1.4万片/月,并在2025具备年产16.8万片车规级SiC MOS的生产能力。同时,GaN(氮化镓)
    的头像 发表于 10-16 15:27 820次阅读

    三星下调HBM产能目标,强化研发与生产协作

    据业内人士透露,三星电子已对其2025底的高带宽内存(HBM)最大产能目标进行了调整。原定的每月20万颗产能目标已被下调至每月17万颗,降
    的头像 发表于 10-15 17:05 590次阅读

    三星或将HBM产能目标下调至每月17万颗

    据业内人士透露,三星电子已对其2025底的高带宽内存(HBM)最大产能目标进行了调整,下调幅度超过10%,从原先计划的每月20万颗减至17万颗。这一变动主要归因于向主要
    的头像 发表于 10-14 16:00 394次阅读

    三星电子调整HBM内存产能规划,应对英伟达供应延迟

    近日,三星电子因向英伟达供应HBM3E内存的延迟,对其HBM内存的产能规划进行了调整。据韩媒报道,三星已将2025底的
    的头像 发表于 10-11 17:37 570次阅读

    三星电子量产1TB QLC第九代V-NAND

    三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特(Tb)容量四层单元(QLC)第九代V-NAND闪存正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储威廉希尔官方网站 领域的持续领先,也预示着
    的头像 发表于 09-12 16:27 571次阅读

    三星第9代V-NAND采用钼金属布线威廉希尔官方网站

    据韩国媒体最新报道,三星电子在其第9代V-NAND闪存威廉希尔官方网站 中实现了重大突破,首次在“金属布线”工艺中引入了钼(Mo)威廉希尔官方网站 。这一创新标志着三星在半导体制造领域的又一次威廉希尔官方网站 飞跃。
    的头像 发表于 07-04 09:23 691次阅读

    今日看点丨曝三星计划Q3对DRAM、NAND涨价15%~20%;传苹果将大砍一半产线员工

    1. 传三星计划Q3 对DRAM 、NAND 涨价15%~20% ,现已通报客户   6月26日,多家媒体报道三星计划于第
    发表于 06-27 11:02 454次阅读

    三星计划2025推出AI集成家电,与苹果角逐智能生态市场

    三星电子,这家全球知名的电子产品制造商,正积极布局其家电业务的未来。据行业内部消息透露,三星的家电部门正致力于开发集成大型语言模型(LLMs)的家电产品,并计划在2025正式发布这一
    的头像 发表于 06-20 10:51 609次阅读

    三星宣布量产第九代V-NAND芯片,位密度提升50%

    在威廉希尔官方网站 层面,第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越威廉希尔官方网站 实力。它采用了双重堆叠威廉希尔官方网站 ,在原有的旗舰V8闪存236层的基础上,再次实现了威廉希尔官方网站 上的重大突破,堆叠层数飙升至惊人的290层。
    的头像 发表于 04-28 16:02 1127次阅读

    三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产

    近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
    的头像 发表于 04-23 11:48 637次阅读

    三星即将量产290层V-NAND闪存

    据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND(3D NAND)闪存芯片。
    的头像 发表于 04-17 15:06 603次阅读

    三星大幅削减NAND产量至50%以下,市场供应或将受影响

    该报告援引“业内人士”的话说,三星从去年年底开始缩减NAND产能,现在才开始向下游市场渗透。三星也不回避自己的战略,一位发言人表示:“我们减少NAN
    发表于 04-02 11:32 615次阅读
    <b class='flag-5'>三星</b>大幅削减<b class='flag-5'>NAND</b>产量至50%以下,市场供应或将受影响

    三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

    三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与
    的头像 发表于 03-14 15:35 552次阅读