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第二代SiC碳化硅MOSFET关断损耗Eoff

国芯思辰(深圳)科技有限公司 2024-06-20 09:53 次阅读

国产第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实测在1700V左右,高于市面主流竞品,击穿电压BV设计余量可以抵御碳化硅衬底外延材料及晶圆流片制程的摆动,能够确保大批量制造时的器件可靠性,这是第二代SiC碳化硅MOSFET布袋除尘器关键的品质。

第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相对较高,也增强了在电力电子系统应用中的可靠性。同时,SiC碳化硅MOSFET反向传输电容Crss在市面主流竞品中是比较小的,带来关断损耗Eoff也是市面主流产品中非常出色的,优于部分海外竞品,特别适用于LLC应用,同规格较小的Crss带来出色的开关性能。

BTD25350功能框图.png

Ciss:输入电容(Ciss=Cgd+Cgs) ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和:它影响延迟时间;Ciss越大,延迟时间越长。第二代SiC碳化硅MOSFET 优于主流竞品。

Crss:反向传输电容(Crss=Cgd) ⇒栅极-漏极电容:Crss越小,漏极电流上升特性越好,这有利于MOSFET的损耗,在开关过程中对切换时间起决定作用,高速驱动需要低Crss。

Coss:输出电容(Coss=Cgd+Cds)⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和:它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大,关断dv/dt减小,这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。

国产第二代碳化硅MOSFET器件主要特色:

• 比导通电阻降低40%左右,Qg降低了60%左右,开关损耗降低了约30%

• 降低Coss参数,更适合软开关

• 降低Crss,及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险

• 最大工作结温175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按结温Tj=175℃通过测试

• 优化栅氧工艺,提高可靠性,高可靠性钝化工艺,优化终端环设计,降低高温漏电流

• AEC-Q101

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