0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

NAND flash测试-雷龙发展

jim 来源:雷龙发展 作者:雷龙发展 2024-06-14 16:20 次阅读

文章目录

一、简介

二、速度测试

最近比较忙,也一直没空发什么文章,这算是新年第一篇吧,正好最近收到了一个雷龙的flash芯片,先拿来玩一下吧。

有兴趣的小伙伴可以去雷龙官网找小姐姐领取一个免费试用。

一、简介

wKgaomZr_UGAZa2IAAIGtUL23AA717.png

大概样子就是上面这样,使用LGA-8封装,实际上驱动也是通用SD卡的驱动,相比与SD卡可以直接贴片到嵌入式设备中,并且体积更小,数据存储和SD卡存储一样。

我使用的型号是CSNP1GCR01-AOW,

不用写驱动程序自带坏块管理的NAND Flash(贴片式TF卡),

尺寸小巧,简单易用,兼容性强,稳定可靠,

固件可定制,LGA-8封装,标准SDIO接口

兼容SPI/SD接口,兼容各大MCU平台,

可替代普通TF卡/SD卡,

尺寸6x8mm毫米,

内置SLC晶圆擦写寿命10万次,

通过1万次随机掉电测试耐高低温,

支持工业级温度-40°~+85°,

机贴手贴都非常方便,

速度级别Class10(读取速度23.5MB/S写入速度12.3MB/S)

标准的SD 2.0协议使得用户可以直接移植标准驱动代码,省去了驱动代码编程环节。

支持TF卡启动的SOC都可以用SD NAND

,提供STM32参考例程及原厂威廉希尔官方网站 支持,

主流容量:128MB/512MB/4GB/8GB,

比TF卡稳定,比eMMC便宜,

样品免费试用。

实际应用场景

新一代SD NAND主要应用领域

5G

机器人

智能音箱

智能面板(HMI)

•移动支付

•智能眼镜(AR)

智能家居

•医疗设备

•轨道交通

•人脸识别

•3D打印机

二、速度测试

手里正好还有一张内存卡,那么就做下对比测试:

先理解下下面这四种测试的含义:

SEQ1M|Q8T1表示顺序读写,位深1024K,1线程8队列的测试速度

SEQ1M|Q1T1表示顺序读写,位深1024K,1线程1队列测试速度

RND4K|Q32T16表示随机读写,位深10244K,16线程32队列的测试速度

RND4K|Q1T1表示随机读写,位深10244K,一线程一队列的测试速度

那么由于CSNP1GCR01-AOW是512M的,那么就统一使用256M的随机读写来测试

CSNP1GCR01-AOW读写速度:

wKgZomZr_UGANuk2AADZShnS3oQ129.png

------------------------------------------------------------------------------

CrystalDiskMark 8.0.4 x64 (C) 2007-2021 hiyohiyo

Crystal Dew World: https://crystalmark.info/

------------------------------------------------------------------------------

* MB/s = 1,000,000 bytes/s [SATA/600 = 600,000,000 bytes/s]

* KB = 1000 bytes, KiB = 1024 bytes

[Read]

SEQ 1MiB (Q= 8, T= 1): 18.242 MB/s [ 17.4 IOPS] <437121.30 us>

SEQ 1MiB (Q= 1, T= 1): 18.409 MB/s [ 17.6 IOPS] < 56695.70 us>

RND 4KiB (Q= 32, T= 1): 4.807 MB/s [ 1173.6 IOPS] < 27159.12 us>

RND 4KiB (Q= 1, T= 1): 4.215 MB/s [ 1029.1 IOPS] <   968.89 us>

[Write]

SEQ 1MiB (Q= 8, T= 1): 7.326 MB/s [ 7.0 IOPS] <1026141.24 us>

SEQ 1MiB (Q= 1, T= 1): 7.549 MB/s [ 7.2 IOPS] <138263.48 us>

RND 4KiB (Q= 32, T= 1): 2.453 MB/s [ 598.9 IOPS] < 52662.34 us>

RND 4KiB (Q= 1, T= 1): 2.029 MB/s [ 495.4 IOPS] <  1987.79 us>

Profile: Default

Test: 256 MiB (x5) [F: 0% (0/481MiB)]

Mode: [Admin]

Time: Measure 5 sec / Interval 5 sec

Date: 2024/01/15 11:35:30

OS: Windows 10 Professional [10.0 Build 19044] (x64)

内存卡读写速度:

wKgaomZr_UGAJ0zJAADVcs5__Hc163.png

------------------------------------------------------------------------------

CrystalDiskMark 8.0.4 x64 (C) 2007-2021 hiyohiyo

Crystal Dew World: https://crystalmark.info/

------------------------------------------------------------------------------

* MB/s = 1,000,000 bytes/s [SATA/600 = 600,000,000 bytes/s]

* KB = 1000 bytes, KiB = 1024 bytes

[Read]

SEQ 1MiB (Q= 8, T= 1): 17.579 MB/s [ 16.8 IOPS] <454375.89 us>

SEQ 1MiB (Q= 1, T= 1): 18.236 MB/s [ 17.4 IOPS] < 57188.36 us>

RND 4KiB (Q= 32, T= 1): 5.105 MB/s [ 1246.3 IOPS] < 25574.24 us>

RND 4KiB (Q= 1, T= 1): 4.622 MB/s [ 1128.4 IOPS] <   884.01 us>

[Write]

SEQ 1MiB (Q= 8, T= 1): 1.676 MB/s [ 1.6 IOPS] <3669329.62 us>

SEQ 1MiB (Q= 1, T= 1): 7.962 MB/s [ 7.6 IOPS] <130440.09 us>

RND 4KiB (Q= 32, T= 1): 0.018 MB/s [ 4.4 IOPS] <2106948.05 us>

RND 4KiB (Q= 1, T= 1): 0.015 MB/s [ 3.7 IOPS] <251984.23 us>

Profile: Default

Test: 256 MiB (x5) [F: 0% (0/953MiB)]

Mode: [Admin]

Time: Measure 5 sec / Interval 5 sec

Date: 2024/01/15 11:53:09

OS: Windows 10 Professional [10.0 Build 19044] (x64)

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    455

    文章

    50816

    浏览量

    423636
  • 测试
    +关注

    关注

    8

    文章

    5303

    浏览量

    126653
  • Nand flash
    +关注

    关注

    6

    文章

    241

    浏览量

    39821
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识

      前言   作为一名电子专业的学生,半导体存储显然是绕不过去的一个坎,今天聊一聊关于Nand Flash的一些小知识。   这里十分感谢深圳雷龙发展有限公司为博主提供的两片CS创世S
    发表于 12-17 17:34

    关于NAND Flash的一些小知识

    前言 作为一名电子专业的学生,半导体存储显然是绕不过去的一个坎,今天聊一聊关于Nand Flash的一些小知识。 这里十分感谢深圳雷龙发展有限公司为博主提供的两片CS创世SD
    的头像 发表于 12-17 17:33 143次阅读

    关于SD NAND 的概述

    NAND Flash晶圆,擦写次数可达5~10万次,远超其他类型的NAND闪存,并通过10k次随机掉电和高低温冲击测试,证明了其在极端环境下的可靠性。   4. 易用性:内置控制器和
    发表于 12-06 11:22

    雷龙CS SD NAND:贴片式TF卡体验与性能测试

    最近有幸获得了雷龙发展提供的贴片式TF卡样品,收到的快递中包含两片 CS SD NAND 芯片和一个转接板。以下是芯片和转接板的实物照片: 产品简介 此次测试的芯片型号
    发表于 11-26 10:04

    国产安路FPGA SD NAND FLASH 初步描述

    等优点。这一节我们主要是介绍一下SD NAND FLASH,该应用实例的SD NAND FLASH采用深圳市雷龙
    发表于 10-16 18:12

    打开NAND Flash接口规范

    电子发烧友网站提供《打开NAND Flash接口规范.pdf》资料免费下载
    发表于 08-21 12:21 0次下载

    K210使用创世NAND flash完成火灾检测

    []()   前言   前几天收到了雷龙NAND的芯片,一共两个芯片和一个转接板,我之前也没有使用过这款芯片,比较好奇,体验了一下,个人认为,如果你画PCB制作一些板子的话,很推荐,比SD卡要方便
    发表于 08-07 18:28

    NAND Flash的擦写次数介绍

    NAND Flash作为非易失性存储威廉希尔官方网站 的重要一员,其擦写次数是评估其性能和寿命的关键因素之一。以下将详细介绍NAND Flash的擦写次数,包括其定义、不同类型
    的头像 发表于 07-29 17:18 3089次阅读

    NAND Flash和NOR Flash哪个更好

    在讨论NAND Flash和NOR Flash哪个更好时,我们需要从多个维度进行深入分析,包括它们的威廉希尔官方网站 特性、应用场景、成本效益以及未来发展趋势等。
    的头像 发表于 07-29 16:59 1505次阅读

    SD NAND芯片的测评与使用 基于卷积神经网络的数字识别

    和32gbit的SD NAND FLASH芯片以及一份测试板卡。 简介: 根据官方文档的描述,这款芯片采用LGA-8封装,具有标准SDIO接口,并同时兼容SPI和SD接口。因此,可以直接移植标准驱动代码,支持
    的头像 发表于 07-24 18:08 1423次阅读

    NAND Flash与NOR Flash:坏块管理需求的差异解析

    NOR FlashNAND Flash是两种不同类型的闪存威廉希尔官方网站 ,它们在存储单元的连接方式、耐用性、坏块管理等方面存在差异。
    的头像 发表于 07-10 14:25 2084次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>与NOR <b class='flag-5'>Flash</b>:坏块管理需求的差异解析

    语音控制模块_雷龙发展

    语音模块与自己的开发板vcc gnd tx rx相连,实现通信,语音播报效果很好!   五 示例词条 []()   ————————————————    雷龙发展公司致力于为客户提供一站式的离线语音
    发表于 06-14 17:18

    NAND flash测试-雷龙发展

      文章目录 **  一、简介** **  二、速度测试**   最近比较忙,也一直没空发什么文章,这算是新年第一篇吧,正好最近收到了一个雷龙flash芯片,先拿来玩一下吧。   有兴趣的小伙伴
    发表于 06-14 16:25

    贴片式tf卡 Nand flash芯片试用体验

      雷龙发展Nand flash芯片试用体验   一、项目背景   最近自己开始准备了一个智能家居控制系统项目,需要包含室内的温湿度、空气质量、烟雾浓度以及气体含量,能够存储相应的数据
    发表于 06-05 17:57

    什么是NANDFlash 存储器?

    前言 NAND Flash 和 NOR Flash是现在市场上两种主要的闪存威廉希尔官方网站 。Intel于1988年首先开发出 NOR Flash 威廉希尔官方网站 ,彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPR
    的头像 发表于 03-01 17:08 706次阅读
    什么是<b class='flag-5'>NAND</b> 型 <b class='flag-5'>Flash</b> 存储器?