北京智芯微电子科技有限公司近期获得了一项“芯片的三维建模方法、装置、电子设备及存储介质”专利权,授权编号CN117556777B,最近公布日期为2024年5月28日,申请日期为2024年1月12日。
此项发明涉及半导体威廉希尔官方网站 领域,主要内容是提供一种芯片的三维建模方法、装置、电子设备及存储介质。具体步骤包括:首先获取芯片的平面版图,同时获取芯片流片的层级信息与光罩信息;然后根据这些信息,确定平面版图中芯片各层对应的层级几何参数;接着通过逻辑运算得出芯片的轻掺杂漏结构的层级几何参数;最后综合利用上述信息,对芯片进行三维建模,生成包含轻掺杂漏结构对应模块的三维结构模型。这种方法能够精确构建包含LDD区域的三维结构模型,全面准确地展现芯片的几何结构,确保模型中器件电学性能及可靠性的准确性,从而提高芯片仿真的精度。
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