NAND Flash上的,指的是用于向闪存单元写入数据时使用的较高编程电压。通常高于用于其他操作如读取或擦除的正常工作电压。
NAND flash芯片需要不同的电压来执行各种操作,例如读、写和擦除。由于这些操作的要求电压通常高于芯片的工作电压(Vcc),所以需要一种机制来生成这些高电压,这种机制就是Vcc Pump。具体来说,Vcc pump(电荷泵)是一种能够将输入电压提升到更高电压的电路。
而Vpp(Voltage for Programming Power)则是通过一个专门的pin脚,直接输入电压给芯片内部,避免Vcc一级一级pump,这样可以节省功耗。
除了省电,Vpp还可以加快Program速度, Vpp这样的更高电压可以加速电荷注入到存储单元的浮动栅中的过程。这使得单元的阈值电压变化更快,阈值电压代表着存储的数据。
提高的耐久性:在NAND Flash中,每个单元只能承受有限数量的编程/擦除周期,然后就开始磨损。通过使用Vpp,编程过程更为高效,并且可能减少每次编程周期对存储单元的压力,从而延长NAND Flash的整体耐久性。
尽管Vpp可以提供上述优势,但它也增加了系统设计的复杂性和成本。所以,在现代NAND Flash威廉希尔官方网站 中,使用Vpp的情况越来越少。闪存威廉希尔官方网站 的进步,如改进的晶体管设计和编程算法,已经使得在较低电压下也能高效编程。许多现代NAND Flash设备现在使用单级电源系统,简化了设计和制造过程,降低了成本,并提高了功率效率,无需依赖Vpp。
在对速度和耐久度要求更高的企业级应用中,使用Vpp可以帮助满足这些要求,所以一些原厂在企业级NAND Flash会提供对Vpp的支持。
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原文标题:NAND Flash上的Vpp是什么?
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