日本东芝电子元件及存储装置株式会社近日宣布,其旗下的一座关键性12英寸晶圆功率半导体制造工厂及配套的办公大楼已全面完工。这座工厂的建设标志着东芝在半导体制造领域又迈出了坚实的一步。
东芝方面透露,目前工厂正处于设备安装阶段,预计将于2024财年下半年正式投入量产。届时,以生产MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)为主的东芝功率半导体,其产能将达到2021财年投资计划时的2.5倍。这一扩张将显著增强东芝在全球功率半导体市场的竞争力。
对于工厂的第二期建设及运营计划,东芝表示将根据市场情况再做进一步决策。此次工程的完工和即将到来的量产,无疑将为东芝的半导体业务注入新的活力,也预示着东芝在半导体制造领域的持续投入和发展。
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