台积电近期突然改变态度,对于采购艾司摩尔高数值孔径极紫外光刻机(High-NA EUV)事宜产生浓厚兴趣。
此前,该公司首席执行官魏哲家曾明确表示,过早引入High-NA EUV并无太大经济效益,直到日前其秘密访问ASML总部,使市场猜测台积电是否因此事发生重大转变。
据wccftech等多个科技媒体联合报道及韩国商业情报媒体《Business Korea》的透露,有知情者透露,魏哲家并未出席于23日召开的台积电2024年威廉希尔官方网站 论坛台湾场,而是选择在26日前往ASML荷兰总部以及工业激光制造商创浦(TRUMPF)的德国总部进行访问。
金融分析师丹·奈斯泰德(Dan Nystedt)在28日的文章中指出,台积电可能已经开始积极寻求购买High-NA EUV设备,原因在于魏哲家的此次行程并非参加台湾举办的威廉希尔官方网站 论坛,而是选择访问ASML和创浦这两家重要的设备供应商。
业内人士据此推测,台积电有意购买High-NA EUV设备,因为这种设备对于生产2纳米以下芯片至关重要。值得注意的是,ASML已于去年年底向英特尔交付了第一台High-NA EUV设备。
分析认为,台积电管理层此次访问ASML,无疑是为了巩固其在全球半导体行业中的领导地位。
按照原计划,台积电将在2026年下半年实现1.6纳米制程的大规模量产后,才考虑引进High-NA EUV设备。然而,High-NA EUV设备的价格高达3.8亿美元,相当于新台币123亿元,比现有的EUV设备高出近一倍。
在此背景下,台积电的主要竞争对手英特尔和三星电子也纷纷采取行动。英特尔希望借助High-NA EUV设备,进一步扩大其在半导体领域的领先优势。
目前,已有多台High-NA EUV设备被运往英特尔的晶圆代工厂,预计将首先在1.8纳米制程上进行测试,然后再逐步推广至1.4纳米制程。
另一方面,三星集团会长李在镕也在今年4月份亲自访问了ASML的关键合作伙伴蔡司位于德国的总部,与ASML执行长傅凯和蔡司执行长兰普雷希特进行了会面,旨在加强三方在半导体领域的合作关系。
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