由于低估高频宽存储器(HBM)市场潜力,三星正陷入焦虑之中。据悉,该公司自去年以来一直试图通过英伟达对其HBM3及HBM3E产品进行测试,然而由于发热和功耗等问题,测试尚未完成且需要更多验证。三星对此予以否认,宣称“正在与全球合作伙伴开展HBM供应测试工作”,并承诺致力提升产品质量和可靠性。
此外,三星电子芯片部门负责人庆桂显被撤换,新任负责人全永铉现年63岁,因其成功扭转亏损业绩而被誉为“后援投手”。此番人事变动发生在年末,引发业内对三星HBM开发进展的关注。
据DigiTimes报道,三星HBM3E未能通过英伟达测试可能源于台积电审批环节出现问题。三星与台积电在晶圆代工领域长期竞争,但在英伟达主导的HBM市场,三星不得不寻求与台积电合作。台积电作为英伟达GPU芯片的制造商和封装商,在验证过程中拥有较大的话语权,其采用的SK海力士HBM3E产品设定的检测标准或对三星产品参数产生影响。
在HBM威廉希尔官方网站 路线选择上,SK海力士采用MR-MUF威廉希尔官方网站 ,三星则基于热压非导电薄膜(TC-NCF)威廉希尔官方网站 。尽管使用热压缩薄膜可有效缩小堆叠芯片间的距离,但随着层数增多,与粘合剂材料相关的问题逐渐显现。
据了解,三星已订购用于处理MUF威廉希尔官方网站 的芯片制造设备,以期提高HBM产量。然而,这一举措被指“屈从于SK海力士的威廉希尔官方网站 ”,三星坚称NCF威廉希尔官方网站 才是HBM产品的“最佳解决方案”。
当前形势严峻,英伟达占据全球AI应用GPU市场约80%份额,能否满足其需求将决定HBM供应商未来发展。去年,SK海力士和美光向英伟达提供8层垂直堆叠的HBM3E(24GB)样品,并于年初通过验证赢得订单。而早在去年10月,三星便已与英伟达展开HBM产品威廉希尔官方网站 验证合作,至今已有半年之久。若此次测试结果不佳,恐将进一步延缓三星HBM产品出货时间,进而影响市场占有率。
数据显示,SK海力士已取得五成市场份额,三星和美光分别占据四成和一成。美光、三星在HBM竞争中的不利地位,早在5年前甚至更早时期便已种下祸根。2011年,美光与英特尔合作研发HMC(混合内存立方体),旨在解决DDR3带宽问题,但最终因故搁置。至于三星,2019年因误判市场前景解散HBM团队,错失竞争先机。三星电子半导体部门员工曾自嘲为“SK海力士分包商”,因SK海力士已成为HBM市场的全球主力供应商,三星被迫承接其外溢订单。
鉴于当下形势,美光凭借美国本地化因素,HBM市场竞争中应对自如。然而,三星承受来自竞争对手及重返存储器霸主地位的压力,需加速出货现有的HBM产品并启动下一代开发计划。
对于三星是否能顺利通过英伟达测试,业内曾有传言称“英伟达挑起三星与SK海力士之间的竞争,借此降低HBM价格”,这暗示了英伟达可能有意扩大HBM供应商队伍。因此,三星通过测试并非难事。然而,三星是否转向使用MUF威廉希尔官方网站 ,或者同时引入NCF和MUF,甚至通过人事变动推出强有力的策略以扭转局面,仍待观察。
然而,时间紧迫。毕竟,HBM3E仅为小试牛刀,2025年前后的HBM4才是决定胜负的关键。
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