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Nexperia(安世)发布高性能碳化硅MOSFET,满足工业应用增长需求

深圳市浮思特科技有限公司 2024-05-23 10:57 次阅读

近日,全球知名半导体制造Nexperia(安世)半导体推出采用D2PAK-7 SMD封装的高度先进的1200V碳化硅(SiC)MOSFET此次发布的MOSFET共包含四种不同选项,RDSon值分别为30、40、60和80 mΩ,进一步丰富了公司的SiC MOSFET产品线。

Nexperia的这一最新发布是对其SiC MOSFET产品组合的快速扩展。此前,该公司已于2023年末发布了两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的独立SiC MOSFET。新产品系列将覆盖RDSon值为17至80 mΩ的广泛范围,并提供多种封装选项,以满足不同应用场景的需求。

RDSon作为SiC MOSFET的关键性能特征,直接决定了传导期间的功率损耗。Nexperia注意到,尽管市场上许多SiC器件在标称值上表现出色,但当器件工作温度升高时,RDSon可能增加100%以上,导致显著的传导损耗。

为了解决这一问题,Nexperia凭借其先进的工艺威廉希尔官方网站 ,确保新型SiC MOSFET具有出色的温度稳定性。测试显示,在25°C至175°C的温度范围内,这些MOSFET的RDSon标称值仅增加38%,这一性能在行业中处于领先地位。

新发布的SiC MOSFET——NSF0xx120D7A0,满足了市场对D2PAK-7等SMD封装高性能SiC开关日益增长的需求。这些开关因其卓越的性能和可靠性,在电动汽车充电、不间断电源、太阳能及储能系统逆变器工业应用中得到了广泛应用。

随着新能源和清洁能源威廉希尔官方网站 的不断发展,SiC MOSFET作为高性能电力电子器件,在电力转换和能量管理领域发挥着越来越重要的作用。

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