全球知名存储芯片制造巨头三星及SK海力士预判,今年DRAM和高带宽存储器(HBM)价格将持续攀升,受益于市场对于高端芯片,尤其是人工智能相关芯片的强大需求。
韩国媒体Korea economic daily透露,为满足市场需求,三星和SK海力士已将逾20%的DRAM产线调整为HBM生产。
在此前举行的由三星证券主办的投资关系会上,两家公司宣布DRAM产量会随需求调整。
SK海力士首席执行官郭鲁正(Kwak Noh-jung)于五月初表示,公司今年HBM产能早已销售一空,甚至连明年计划生产的产品亦几乎售尽。
三星方面表示,公司HBM产量同样告急。因供需状况向好,预计直至2025年HBM仍无过剩之忧。
该三星官员进一步指出,公司在8层HBM3E芯片领域与SK海力士的差距已逐渐缩小,且在12层HBM3E市场占据主导地位。
三星计划最早于2024年第二季度启动12层HBM3E芯片生产。
综上所述,尽管市场竞争激烈,价格波动频繁,但三星电子和SK海力士依然看好存储芯片市场前景,正积极调整生产线,签署长期供应协议以应对市场需求增长。
此外,两家公司对传统DRAM和固态硬盘(SSD)的价格走势亦持乐观态度,预期价格将保持稳定。三星官员表示,“今年DRAM价格料难有下滑”,而SSD需求增长则是长期趋势。
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