纳芯微推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列
纳芯微近期发布了其首款1200V SiC MOSFET产品——NPC060N120A系列，该系列产品的RDSon值低至60mΩ，展现了出色的性能。这款MOSFET提供了两种封装形式，包括通孔式的TO-247-4L和表面贴装的TO-263-7L，以满足不同应用场景的需求。
纳芯微的碳化硅MOSFET以其卓越的RDSon温度稳定性和更宽的门极驱动电压覆盖度而著称，同时还具备高可靠性，使其在各种应用中都能表现出色。这款新品特别适用于电动汽车的OBC/DCDC系统、热管理系统、光伏和储能系统(ESS)以及不间断电源(UPS)等领域。
NPC060N120A系列的推出，不仅彰显了纳芯微在半导体威廉希尔官方网站 领域的创新实力，也为相关行业提供了更加高效、可靠的解决方案。随着电动汽车和可再生能源市场的快速发展，纳芯微的这一新品有望在未来发挥重要作用。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
147文章
7158浏览量
213159 -
SiC
+关注
关注
29文章
2807浏览量
62608 -
纳芯微
+关注
关注
2文章
243浏览量
14501
发布评论请先 登录
相关推荐
三菱电机1200V级SiC MOSFET威廉希尔官方网站 解析
1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件，广泛应用于工业、汽车等领域。目前，1200V级
瞻芯电子推出采用TC3Pak封装的1200V SiC MOSFET
为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（
东芝推出全新1200V SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“
瞻芯电子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性测试认证
认证；同时，瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅(SiC)晶圆厂
Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司推出了业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120HA数据手册
电子发烧友网站提供《1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120HA数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 18:02
•0次下载
1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120UE数据手册
电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120UE数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 17:16
•0次下载
1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120SE数据手册
电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120SE数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 17:14
•0次下载
1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120HE数据手册
电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120HE数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 17:11
•0次下载
1200V 15A沟槽和场阻IGBT JJT15N120SE数据手册
电子发烧友网站提供《1200V 15A沟槽和场阻IGBT JJT15N120SE数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 15:23
•0次下载
瞻芯电子推出一款车规级1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z
近日，瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z，该模块产品及其采用的
工商网监
评论