SiC MOSFET在电力电子行业中的应用越来越广泛。SiC MOSFET很多性能与传统Si基器件不同,对驱动设计也提出了更高的要求。为了最 大化利用SiC MOSFET的性能优势,驱动芯片的选择需要着重考虑如下几个方面:
1、更高的轨到轨电压
IGBT的驱动电压一般都是15V,而SiC MOSFET的推荐驱动电压各品牌并不一致,15V、18V、20V都有厂家在用。更高的门极驱动电压有助于降低器件导通损耗,SiC MOSFET的导通压降对门极电压的敏感性比IGBT更高,所以对SiC MOSFET使用高驱动电压的收益更大。为了防止寄生导通,SiC MOSFET往往还需要负压关断。如果一个SiC MOSFET使用了Vgs=-5V~20V的门极驱动电压,那么就要求前级驱动芯片的输出电压至少是25V,再加一定的余量,一般取35V~40V之间比较合适。
2、更高的共模抑制比
SiC MOSFET是高频器件,不管是上升还是下降过程中的电压变化率dv/dt都远大于IGBT,这要求芯片本身具有较高的抗干扰度。常用于评估驱动芯片抗扰度的参数为共模抑制比CMTI,是衡量驱动芯片是否适用于SiC MOSFE的标准之一。
3、更高的绝缘等级
拓扑结构的不断发展需要引入新的电压等级。比如,2kV SiC MOSFET可将1500VDC光伏系统的拓扑结构从三电平简化至两电压,能够提高系统效率,但是随着电压的提升,只有基本绝缘或者功能绝缘的驱动芯片明显不适用。需要驱动芯片具有加强绝缘能力。
4、抑制误触发
SiC MOSFET阈值电压相对IGBT低很多,英飞凌阈值电压大约是4.5V,而其他很多SiC MOSFET阈值电压仅有2~3V。再加上SiC MOSFET开关时dv/dt很高,SiC MOSFET寄生导通的风险就格外严峻。这就要求驱动芯片最好具有米勒钳位功能。
5、更快的短路保护响应时间
SiC MOSFET芯片面积小,电流密度高,发热集中,所以SiC MOSFET的短路时间大大小于IGBT,英飞凌CoolSiC™ MOSFET单管保证至多3us的短路时间,而模块保证至多2us的短路时间。在这么短的时间内识别出短路并关断功率器件,这对驱动芯片提出了非常高的要求。
什么样的驱动芯片能满足SiC MOSFET的种种挑剔要求?英飞凌EiceDriver X3系列驱动芯片当仁不让。尤其是其中数字型加强型驱动芯片1ED38X0Mx12M系列,更是完美满足上述要求:
(1)驱动芯片最 大输出电压高达40V,满足SiC MOSFET高门极电压的需求。
(2)共模抑制比CMTI可达300V/us,远高于光耦和容隔芯片。
(3)满足加强绝缘要求,通过VDE 0884-11加强绝缘认证,瞬态过电压(VIOTM)增至8kV,可适用于650V,1200V,1700V,2300V IGBT,SiC and Si MOSFET。
(4)具备米勒钳位功能,还可外置米勒钳位MOSFET,适配更大规格的功率器件。
(5)通过I2C总线配置,不需要外置退饱和电容,即可调节消隐时间。TDESATled从0ns到3150ns有64档可调,而TDESATfilter从0ns到6000ns有32档可调!同时,检测到短路后还可实现软关断,避免关断过快产生电压尖峰损坏器件。软关断电流范围根据型号不同而有所区别,各有16档可调。
审核编辑 黄宇
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