昕感科技发布一款1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0

半导体产业网获悉：近日，昕感科技发布一款兼容15V栅压驱动的1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0，导通电阻在15V栅压下低至13mΩ，配合低热阻TO-247-4L Plus封装，可以有效提升电流能力，满足客户的大功率应用需求。

推出兼容15V栅压驱动的低导通电阻SiC MOSFET新产品，标志着昕感科技在大电流低导通电阻产品和威廉希尔官方网站 研发方面取得新的突破，进一步加速推动新能源领域中功率器件的国产化进程。

■N2M120013PP0产品导通特性及阻断特性

昕感科技1200V/13mΩ SiC MOSFET产品推荐使用-3/+15V驱动栅压，满足IGBT应用电路中的+15V驱动要求，便于电力电子系统更新换代。同时，降低栅极电压可以缓解栅极电应力，提升器件的可靠性。

■N2M120013PP0产品阈值电压-温度曲线

昕感科技通过器件结构的综合优化设计，实现15V栅压驱动和高阈值电压的双重突破。新产品在25℃室温下阈值电压可达3.3V，在175℃高温下仍可达2.4V。高阈值电压特性能够有效降低应用中的误开启概率，避免应用端器件和系统失效。



昕感科技已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款SiC器件和模块产品量产，部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证。其中，1200V SiC MOSFET产品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等导通电阻规格，模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式。

昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的威廉希尔官方网站 突破创新和产品研发生产，致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。

审核编辑：刘清