根据Theelec报道,ASML公布其高数值孔径EUV(High-NA EUV)设备,预计在2025上半年供应给英特尔独占使用,因此2025下半年之后三星与SK海力士方可获得此设备。
消息人士透露,ASML此类设备年产量大约在五至六台之间,意即英特尔全数预定了初期产能。他们进一步指出,由于英特尔迅速报出重返芯片代工市场,从而迅速购得这些设备。
ASML的高数值孔径EUV设备对于2nm工艺节点芯片的制造至关重要,每台设备成本高达5000亿韩元(折合人民币约26.47亿元)。
数值孔径(NA)代表光学系统收集及聚焦光线的能力,数值越大,聚光效果越佳。高数值孔径EUV设备的数值孔径从0.33提升至0.55,使其能够绘制更为精密的电路图案。
自2017年ASML首台量产EUV光刻机问世以来,三星的7nm、5nm、3nm工艺以及台积电的第二代7nm、5nm、3nm工艺均依赖于数值孔径为0.33的EUV光刻机进行生产。随着三星、台积电、英特尔3nm制程的陆续量产,三家企业正积极投入2nm制程研发,以满足未来高性能计算(HPC)等高端芯片需求,并在晶圆代工市场竞争中占据优势。
为了争取客户,英特尔选择比竞争对手更早采用高数值孔径EUV。尽管该公司于2021年重回代工市场,但去年该业务仍亏损达70亿美元。
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