英飞凌科技近日推出了其最新的OptiMOS™ 7 80 V系列首款产品——IAUCN08S7N013。这款MOSFET威廉希尔官方网站 不仅显著提升了功率密度,还采用了通用且坚固的SSO8 5x6mm² SMD封装。
该新品尤其适用于即将普及的48V板网应用,如电动汽车的直流-直流转换器、48V电机控制(如EPS系统)以及48V电池开关等。此外,它也满足电动两轮车、三轮车等高性能、高质量和稳健性的需求。
OptiMOS™ 7 80 V的推出,展现了英飞凌科技在半导体领域的创新能力,以及对汽车等高要求应用市场的深度理解。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
英飞凌
+关注
关注
66文章
2183浏览量
138652 -
MOSFET
+关注
关注
147文章
7158浏览量
213159
发布评论请先 登录
相关推荐
新品 | 采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模块化半桥功率板
新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模块化半桥功率板该套件功率板模块采用OptiMOS6功率MOSFET135V,D²PAK7引脚封装
英飞凌发布新型模块化半桥功率板
近日,英飞凌正式发布了采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模块化半桥功率板。这款功率板模块采用了OptiMOS™ 6功率MOSFET
英飞凌推出CoolMO S7T和S7TA SJ MOSFET
英飞凌推出的CoolMOS™ S7T和S7TA SJ MOSFET,集成了先进的温度传感器威廉希尔官方网站
,专为工业和汽车领域设计,显著提升了结温测量的
英飞凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列
英飞凌再次引领行业潮流,最新推出的600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的威廉希尔官方网站
创新和卓越性价比,在全球范围内树立了高压超级结
英飞凌推出全新600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列, 适用于高成本效益的先进电源应用
【 2024 年 6 月 26 日 , 德国慕尼黑 讯 】 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结(SJ)MOS
发表于 06-26 18:12
•491次阅读
英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET
理应用的600 V CoolMOS™ S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS™ S
发表于 06-24 16:18
•1134次阅读
新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率
,在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件,并且推出了80 V和100 V型号的OptiMO
发表于 06-18 17:51
•650次阅读
英飞凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设
英飞凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
英飞凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比,英飞凌全新的 CoolSiC™ MOS
英飞凌威廉希尔官方网站 公司推出全新的OptiMOS™ 6 200 V MOSFET系列产品
随着英飞凌威廉希尔官方网站
公司推出全新的OptiMOS™ 6 200 V MOSFET系列产品,电机驱动应用领域得到了显著的推进。
英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS™ 7
【 2024 年 4 月 15 日 , 德国慕尼黑 讯】 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 威廉希尔官方网站
—— OptiMOS
发表于 04-16 09:58
•3856次阅读
英飞凌推出新一代OptiMOS™ MOSFET威廉希尔官方网站 封装
全球半导体行业的领导者英飞凌科技股份公司宣布推出一款新型封装——SSO10T TSC,该封装基于其先进的OptiMOS™ MOSFET威廉希尔官方网站
,专为满足汽车电子产品中对热效率和空间利用有严
英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V产品
英飞凌科技股份公司,作为全球领先的半导体公司,近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列,这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装,为设计人员提
N沟道80 V,2.4 mOhm,标准级MOSFET BUK7J2R4-80M数据手册
电子发烧友网站提供《N沟道80 V,2.4 mOhm,标准级MOSFET BUK7J2R4-80M数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 02-21 10:03
•0次下载
评论