0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展

第三代半导体产业 来源:浙大杭州科创中心先进半 2024-04-29 17:40 次阅读

近日,据浙大杭州科创中心官微消息,浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室(简称联合实验室)首次生长出厚度达100 mm的超厚碳化硅单晶。

据了解,想要降低碳化硅衬底的成本,主要得从碳化硅单晶入手;想要将碳化硅单晶厚度显著提升,则必须解决晶体的温度梯度和应力控制等难题。

f29d3d32-05f5-11ef-a297-92fbcf53809c.jpg

图1:(a)提拉式物理气相传输法生长半导体碳化硅(SiC)单晶的示意图;(b)100 mm厚半导体SiC单晶。

为了解决难题,联合实验室采用的是提拉式物理气相传输(Pulling Physical Vapor Transport, PPVT)法,成功生长出直径为6英寸(即150 mm)的碳化硅单晶,其厚度突破了100 mm。

根据测试加工而得的衬底片的结果显示,该超厚碳化硅单晶具有单一的4H晶型、结晶质量良好,电阻率平均值不超过∼30 mΩ·cm。目前研究团队已就相关工作申请了2项发明专利。

f2b10c7c-05f5-11ef-a297-92fbcf53809c.jpg

图2 (a)拉曼散射光谱;(b)(0004)面的X射线摇摆曲线。

先进半导体研究院副院长、联合实验室主任皮孝东教授表示,接下来实验室将在科创中心首席科学家杨德仁院士的指导下,夯实针对半导体碳化硅单晶缺陷和杂质的基础研究,开发碳化硅单晶生长的缺陷控制新工艺和掺杂新工艺,不断提高超厚半导体碳化硅单晶的质量。

除此之外,去年5月,联合实验室经过系列威廉希尔官方网站 攻关,在大尺寸碳化硅(SiC)单晶生长及其衬底制备方面取得突破。》》成果上新!8英寸导电型碳化硅研制获得成功

f2cf19ec-05f5-11ef-a297-92fbcf53809c.png

8英寸碳化硅晶锭

f3048974-05f5-11ef-a297-92fbcf53809c.png

8英寸碳化硅抛光衬底片

联合实验室针对PVT法,提出了多段式电阻加热的策略,同时结合数值interwetten与威廉的赔率体系 研究设计和优化8英寸碳化硅单晶生长的热场与工艺手段开展研发工作,成功生长出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭,并加工获得了8英寸碳化硅衬底片,成功跻身8英寸碳化硅俱乐部。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    27305

    浏览量

    218161
  • 单晶
    +关注

    关注

    1

    文章

    61

    浏览量

    14097
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    2749

    浏览量

    49022

原文标题:厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展

文章出处:【微信号:第三代半导体产业,微信公众号:第三代半导体产业】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    全球最大碳化硅工厂头衔易主?又有新8英寸碳化硅产线投产!

    ,同时也涵盖部分氮化镓外延生产。   进入2024年下半年,在过去几年时间里全球各地投资的8英寸碳化硅产线也开始逐步落地投入使用,在英飞凌之外,近期三安半导体、安森美等也有8英寸碳化硅产线的新进展。   大厂8 英寸产线陆续落地
    的头像 发表于 08-12 09:10 3820次阅读

    高纯碳化硅粉体合成方法

      本文介绍了半导体材料碳化硅的性能、碳化硅单晶生长以及高纯碳化硅粉体的合成方式。 在科技飞速发展的今天,半导体材料领域正经历着一场深刻的变革。第三代宽禁带半导体材料
    的头像 发表于 12-17 13:55 133次阅读

    碳化硅衬底,进化到12英寸!

    人没想到的是,在8英寸碳化硅还远未大规模落地时,12英寸碳化硅衬底就已经悄然面世。   天岳先进发布300mm 碳化硅衬底   在上周的德国慕尼黑半导体展上,天岳先进发布了行业首款30
    的头像 发表于 11-21 00:01 2360次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>衬底,进化到12英寸!

    Wolfspeed碳化硅8寸工厂迎新进展

    全球碳化硅威廉希尔官方网站 引领者 Wolfspeed, Inc. (美国纽约证券交易所上市代码: WOLF) 于近日宣布了碳化硅芯片制造工厂和材料制造工厂近期关键性进展
    的头像 发表于 09-26 16:47 704次阅读

    碳化硅功率器件的工作原理和应用

    碳化硅(SiC)功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有许多独特的优点,使其在高效能、高频率和高温环境下的应用中具有明显的优势。本文将探讨
    的头像 发表于 09-13 11:00 542次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的工作原理和应用

    碳化硅晶圆和硅晶圆的区别是什么

    。而硅晶圆是传统的半导体材料,具有成熟的制造工艺和广泛的应用领域。 制造工艺: 碳化硅晶圆的制造工艺相对复杂,需要高温、高压和长时间的生长过程。而硅晶圆的制造工艺相对成熟,可以实现大规模生产。此外,碳化硅晶圆的
    的头像 发表于 08-08 10:13 1412次阅读

    Wolfspeed碳化硅制造工厂取得显著进展

    在全球半导体威廉希尔官方网站 持续革新的浪潮中,碳化硅芯片作为新一代功率半导体器件的核心材料,正逐步成为市场的新宠。近日,半导体制造领域的佼佼者Wolfspeed公司宣布,其碳化硅芯片制造工厂及材料制造工厂均取得了关键性的
    的头像 发表于 06-27 14:33 621次阅读

    碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

    碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
    发表于 03-08 08:37

    河南第一块8英寸碳化硅SiC单晶出炉!

    平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶,全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
    的头像 发表于 02-21 09:32 1009次阅读

    碳化硅降本关键:晶体制备威廉希尔官方网站

    %。   成本占比较高的原因,主要是碳化硅单晶材料的制备难度较大。硅由于存在液体形态,所以可以通过垂直拉伸来形成晶棒,但碳化硅本身属于化合物,无法直接熔融结晶成为晶体。换个说法就是碳化硅在常压下没有液体形态,只有气态和固态,达到
    的头像 发表于 01-21 07:48 2650次阅读

    碳化硅产业链图谱

    共读好书 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料,根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片,制成耐高温、耐高压的
    的头像 发表于 01-17 17:55 639次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>产业链图谱

    碳化硅单晶衬底的常用检测威廉希尔官方网站

    碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其宽禁带宽度、高击穿电场强度和高热导率等优异性能,在众多高端应用领域表现出色,已成为半导体材料威廉希尔官方网站 的重要发展方向之一。SiC衬底分为导电型和半绝缘型两种,各自适用于不同的外延层和应用场景。
    的头像 发表于 01-17 09:38 2271次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅单晶</b>衬底的常用检测威廉希尔官方网站

    晶圆级立方碳化硅单晶生长研究进展

    碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能,在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高
    的头像 发表于 01-16 09:46 719次阅读
    晶圆级立方<b class='flag-5'>碳化硅单晶</b><b class='flag-5'>生长</b>研究<b class='flag-5'>进展</b>

    碳化硅特色工艺模块简介

    材料的生长和加工难度较大,其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面: 注入掺杂 在碳化硅中,碳硅键能较高,杂质原子难以在其中扩
    的头像 发表于 01-11 17:33 853次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工艺模块简介

    山东粤海金成功研制出8英寸导电型碳化硅单晶与衬底片

    软包装复合胶粘剂龙头——高盟新材(300200.SZ)在半导体材料领域的投资取得新进展、新成效。
    的头像 发表于 01-03 10:00 906次阅读
    山东粤海金成功研制出8英寸导电型<b class='flag-5'>碳化硅单晶</b>与衬底片