0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

热晶体管有望快速冷却芯片

半导体芯科技SiSC 来源:半导体芯科技SiSC 作者:半导体芯科技SiS 2024-04-22 12:07 次阅读

半导体芯科技》杂志文章

电子晶体管是现代电子产品的核心。虽然电子晶体管可以精确控制电流,但在此过程中它们会产生热量。现在,加州大学洛杉矶分校(UCLA)的研究人员开发出了一种固态热晶体管,这是同类器件中第一个可以使用电场来控制其中热量流动的。他们的研究2023年11月发表在《科学》杂志上。

工程师和科学家强烈希望像控制电子设备一样控制传热,但这非常具有挑战性。”该研究论文的主要作者、UCLA机械和航空航天工程教授Yongjie Hu说。

△UCLA开发的热晶体管使用电场来控制热流。来源:H-LAB/UCLA

一直以来,电子产品都是通过散热器被动地将多余的热量带走来降温的。人们也提出了一些更积极主动的热管理方法,但这些方法通常依赖于移动部件或流体,而且可能需要花很长时间(通常是几分钟到几小时)来提高或降低材料的导热率。借助热晶体管,研究人员可以更快、更精确地主动调节热流。这使热晶体管有望成为管理电子器件热量的理想选择。

与电子晶体管使用电场来调节通道的电导类似,UCLA研究小组的热晶体管也使用电场来调节通道的热导。研究人员设计了笼状分子薄膜来调节通道的热导,该薄膜充当晶体管的通道;施加电场使薄膜中的分子键更强,从而增加其热导率。

UCLA化学、生物工程和材料科学教授、该文章的共同作者Paul Weiss说:“实际上我们的贡献只是一个分子厚度的薄膜层。”

借助这种单分子层,研究人员就能以超过1兆赫兹的频率实现传导率的最大变化,比其他热管理系统快了几个数量级。分子运动通常控制其他类型热开关中的热流。但与电子运动相比,分子运动相当缓慢,Weiss解释说。通过利用电场,研究人员能够将开关频率从毫赫兹提高到兆赫兹。

分子运动也无法在导通状态和断开状态之间实现那么大的热传导差。相比之下,UCLA的热晶体管实现了13倍的差异。Weiss说:“无论是幅度还是速度,这都是一个巨大的差异。”

该晶体管实现了创纪录的高性能,开关速度超过1兆赫兹,即每秒100万个周期。它们还提供1300%的热导可调性以及超过100万次开关周期的可靠性能。

通过以上这些改进,这种热晶体管对于冷却处理器可能至关重要。这种热晶体管对于半导体来说特别有前途,因为与其他主动散热方法相比,它们使用很小的功耗来控制热流。此外,许多热晶体管也可以像电子晶体管一样集成在同一芯片上。Hu说,特别是,热晶体管可以有效地管理新型半导体设计中的热量,例如在3D堆叠小芯片中,它们可以减少热点,从而为小芯片的设计提供更大的自由度。它们还可能有助于冷却由氮化镓和碳化硅等宽禁带半导体制成的电力电子器件。Hu还表示,这个概念还提供了一种理解人体热量管理的新方法。

Paul Weiss表示:这项工作是出色合作的结果,我们能够利用对分子和界面的详细了解,在控制重要材料特性方面迈出重要一步,并具有对现实世界产生影响的潜力,我们已经能够将热开关效应的速度和规模比以前提高几个数量级。

该研究提出了在芯片制造和性能方面可持续可扩展的威廉希尔官方网站 创新。虽然这一概念的验证很有希望,但UCLA的研究人员承认,该威廉希尔官方网站 仍处于开发初期,他们的目标是进一步提高这种热晶体管器件的性能。

参考资料

1.Electrically gated molecular thermal switch | Science https://www.science.org/doi/10.1126/science.abo4297?adobe_mc=MCMID=80093549277727036801369131698673845939%7CMCORGID=242B6472541199F70A4C98A6%40AdobeOrg%7CTS=1699466887

2.Thermal Transistors Handle Heat With No Moving Parts - IEEE Spectrum https://spectrum.ieee.org/thermal-transistor

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    455

    文章

    50732

    浏览量

    423273
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    雪崩晶体管有哪些优缺点

    雪崩晶体管作为一种特殊的半导体器件,在电子领域具有其独特的优缺点。
    的头像 发表于 09-23 18:05 277次阅读

    NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别

    NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)类型,它们在多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMOS晶体管
    的头像 发表于 09-13 14:10 3155次阅读

    GaN晶体管和SiC晶体管有什么不同

    GaN(氮化镓)晶体管和SiC(碳化硅)晶体管作为两种先进的功率半导体器件,在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而,它们在材料特性、性能表现、应用场景以及制造工艺等方面存在诸多不同。以下是对这两种晶体管
    的头像 发表于 08-15 11:16 848次阅读

    场效应晶体管和双极性晶体管有什么区别

    场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)和双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor,简称BJT,也称双极性结型晶体管)是两种常见的半导体
    的头像 发表于 08-13 17:42 1629次阅读

    c类放大器晶体管耐压多少

    NPN和PNP两种类型。晶体管有三个引脚:集电极(Collector)、发射极(Emitter)和基极(Base)。晶体管的工作原理是利用基极电流控制集电极电流,实现信号的放大。 1.1 晶体管的导电原理
    的头像 发表于 08-01 14:45 360次阅读

    芯片晶体管的深度和宽度有关系吗

    一、引言 有关系。随着集成电路威廉希尔官方网站 的飞速发展,芯片晶体管作为电子设备的核心元件,其性能的优化和制造威廉希尔官方网站 的提升成为了行业关注的焦点。在晶体管的众多设计参数中,深度和宽度是两个至关重要的因素。它们不仅
    的头像 发表于 07-18 17:23 672次阅读

    怎么判断晶体管工作在什么区

    和工作原理 晶体管主要由两种半导体材料组成:N型和P型。N型半导体中,自由电子是主要的载流子;而P型半导体中,空穴是主要的载流子。晶体管通常由一个P型半导体和一个N型半导体组成,形成PN结。晶体管有三个引脚:基极(B)、集电极(
    的头像 发表于 07-18 15:26 1172次阅读

    芯片中的晶体管是怎么工作的

    晶体管是现代电子设备中不可或缺的组件,它们是构建集成电路(IC)和微处理器的基础。晶体管的工作原理涉及到半导体材料的电子特性,以及如何通过控制电流来实现开关功能。 历史背景 晶体管的发明可以追溯到
    的头像 发表于 07-18 14:58 1292次阅读

    PNP晶体管符号和结构 晶体管测试仪电路图

    PNP晶体管是一种双极性晶体管,用于电子电路中放大、开关和控制电流的器件。与NPN晶体管相对应,PNP晶体管的结构特点在于其三个不同的半导体区域:正极(P型)、负极(N型)、正极(P型
    的头像 发表于 07-01 17:45 2490次阅读
    PNP<b class='flag-5'>晶体管</b>符号和结构 <b class='flag-5'>晶体管</b>测试仪电路图

    苹果M3芯片晶体管数量

    苹果M3芯片晶体管数量相当可观,相比前代产品有了显著的提升。这款芯片搭载了高达250亿个晶体管,比M2芯片多出50亿个,这样的设计使得M3
    的头像 发表于 03-11 16:45 896次阅读

    M3芯片有多少晶体管

    M3芯片晶体管数量根据不同的版本有所差异。具体来说,标准版的M3芯片拥有250亿个晶体管,这一数量相比前代产品M2有了显著的提升,使得M3芯片
    的头像 发表于 03-08 15:43 1068次阅读

    什么是达林顿晶体管?达林顿晶体管的基本电路

    达林顿晶体管(Darlington Transistor)也称为达林顿对(Darlington Pair),是由两个或更多个双极性晶体管(或其他类似的集成电路或分立元件)组成的复合结构。通过这种结构,第一个双极性晶体管放大的电流
    的头像 发表于 02-27 15:50 5318次阅读
    什么是达林顿<b class='flag-5'>晶体管</b>?达林顿<b class='flag-5'>晶体管</b>的基本电路

    晶体管的符号和放大作用

    晶体管有PNP型与NPN型的区分,图示符号以发射极箭头的方向予以区别。记住箭头的前方是N可帮助记忆。箭头也表示电流的方向。
    的头像 发表于 02-05 17:25 3297次阅读
    <b class='flag-5'>晶体管</b>的符号和放大作用

    下一代晶体管有何不同

    在经历了近十年和五个主要节点以及一系列半节点之后,半导体制造业将开始从 FinFET过渡到3nm威廉希尔官方网站 节点上的全栅堆叠纳米片晶体管架构。 相对于FinFET,纳米片晶体管通过在相同的电路占位面积中增加
    的头像 发表于 12-26 15:15 442次阅读
    下一代<b class='flag-5'>晶体管有</b>何不同

    IBM发布首款专为液氮冷却设计的CMOS晶体管

    IBM突破性研发的纳米片晶体管,通过将硅通道薄化切割为纳米级别的薄片,再用栅极全方位围绕,实现更为精准控电。此结构使得在指甲盖大小空间内可容纳最多达500亿个晶体管,并且经过液氮冷却处理,其性能飙升至原本的两倍之多。
    的头像 发表于 12-26 14:55 736次阅读