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用于2.5D与3D封装的TSV工艺流程是什么?有哪些需要注意的问题?

中科院半导体所 来源:Tom聊芯片智造 2024-04-17 09:37 次阅读

本文介绍了TSV工艺流程是什么。

用于2.5D与3D封装的TSV工艺流程是什么?有哪些需要注意的问题?

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上图是TSV工艺的一般流程。TSV,全名Through-Silicon Via,又叫硅通孔工艺。

硅基底准备:流程以一块覆盖有二氧化硅(SiO₂)层的硅基底开始。这层SiO₂可以通过热氧化或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法形成。

光刻:光刻胶(Photoresist)被涂布在SiO₂层上,然后通过曝光和显影步骤进行图案化,以得到后面工序要进行硅蚀刻的区域。 硅蚀刻:使用光刻图案作为掩模,采用DRIE在硅基底中蚀刻出通孔。

去除光刻胶:在蚀刻完成后,去除光刻胶以准备接下来的层沉积步骤。

沉积绝缘层和阻挡层:通过PVD,PECVD或原子层沉积(ALD)威廉希尔官方网站 在孔壁上沉积一层二氧化硅来作为绝缘层,防止电子窜扰;然后沉积一层导电的阻挡层,如钛/铜(Ti/Cu)或钽/铜(Ta/Cu),以便后续的铜镀层能更好地附着,且能防止电子迁移。

铜电镀:在绝缘层和阻挡层上进行铜镀层,以填充TSV孔洞。一般通过电镀方式完成。电镀完成后,进行退火工序,释放应力。

化学机械抛光(CMP):最后,进行CMP步骤来平整表面,去除多余的铜和阻挡层,留下一个与硅基底表面平齐的铜TSV。

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审核编辑:刘清

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原文标题:TSV工艺流程介绍

文章出处:【微信号:bdtdsj,微信公众号:中科院半导体所】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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