0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

IGBT器件功率循环和热测试系统整体实验方案

Olivia 来源:jf_25850331 作者:jf_25850331 2024-04-09 10:51 次阅读

一:什么是功率循环测试?

功率循环测试是一种用于测试设备、系统或电路在不同负载情况下的功耗、效率和稳定性的方法。通过interwetten与威廉的赔率体系 实际使用中的负载变化,可以评估设备在不同工作状态下的功耗情况,进而优化设计和节能。

在功率循环测试中,设备或系统会被连接到负载模拟器,并在设定的负载情况下运行一段时间。通过测量电流和电压的变化,可以计算出设备在不同负载下的功耗。通过有序测试,可以获取设备在不同工作状态下的电源需求情况,以便进行能量管理和性能优化。
二:工作原理

功率循环测试通过负载电流加热和开关断动作,来模拟器件工作中的结温波动,通过一定程度的加速老化,以提前暴露器件封装的薄弱点,评估封装材料的热膨胀系数差异对器件寿命的影响,是考核功率器件封装可靠性最重要的可靠性测试,也是进行器件寿命模型建立和寿命评估的根本。

三:应用领域

既可以对包括混合动力汽车及电动车辆和列车在内的汽车和交通william hill官网 中越来越多的电力电子器件进行可靠性测试,还可以对发电与变频器、风力涡轮机等可再生能源应用中越来越多的电力电子器件进行可靠性测试。是结合了功率循环测试功能和瞬态热测试功能的热测试产品,通过结构函数提供实时故障原因诊断的数据。

四:产品介绍

Simcenter Powertester 功率循环及热测试硬件具备行业特定功能,可以将有效功率循环测试与瞬态热特性分析和热结构研究结合起来。这种特有的非破坏性结构函数评估是在设备保持上电状态下进行的,能够以完全自动化的方式在整个测试过程中提供完整的设备电子和结构评估。

模块可以通过数万次、甚至是数百万次循环获得功率,同时提供实时故障诊断,显著减少测试和诊断时间,因而无需事后分析或破坏性失效分析。各种各样的供电策略可以模拟真实操作场条件。

Power Tester可提供不同电流、电压与测量通道数的规格,以满足客户不同需求。
image.png

image.png

五、产品优势:

测试威廉希尔官方网站 :Power Tester是基于Mentor Graphics®T3Ster®advanced thermal testing硬件解决方案,该解决方案在世界各地的行业中用于精确的热特性测试。

先进的测试理念:Power Tester可以同时进行功率循环和热测试,任何与老化降级相关的热效应都可以在不移动待测器件的情况下通过结构函数在线监测,与传统的老练设备相比更加节省时间,能获得完整的失效数据。

易于操作:Power Tester可供专家和生产人员使用

友好的触摸屏界面:Power Tester可以在测试过程中记录广泛的信息,如电流、电压和片温度传感;以及详细的结构功能分析,以记录封装热结构的变化。

电力电子产品测试:包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和功率二极管

功率循环测试,直至失效:节省时间,因为组件不需要拆下,进行实验室测试,然后返回测试仪进行更多的循环。

多种供电策略:恒定时间Ton/Toff、恒定电流、恒定壳温变化、恒定的结温变化以及恒定的功率变化。

“实时”结构功能诊断:快速获得正在进行的故障、循环次数和故障原因等结果。

安全设计:增强的安全功能、超温、烟雾、冷却液泄漏检测确保了系统的安全运行,即使系统处于独立状态。
image.png

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • IGBT
    +关注

    关注

    1267

    文章

    3797

    浏览量

    249162
  • 功率循环测试

    关注

    0

    文章

    8

    浏览量

    6419
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    功率器件设计基础(十)——功率半导体器件的结构函数

    样品活动进行中,扫码了解详情/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的设计基础知识,才能完
    的头像 发表于 12-23 17:31 228次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>热</b>设计基础(十)——<b class='flag-5'>功率</b>半导体<b class='flag-5'>器件</b>的结构函数

    功率器件设计基础(九)——功率半导体模块的热扩散

    样品活动进行中,扫码了解详情/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的设计基础知识,才能完
    的头像 发表于 12-16 17:22 614次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>热</b>设计基础(九)——<b class='flag-5'>功率</b>半导体模块的热扩散

    功率器件设计基础(八)——利用瞬态阻计算二极管浪涌电流

    /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的设计基础知识,才能完成精确
    的头像 发表于 12-11 01:03 143次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>热</b>设计基础(八)——利用瞬态<b class='flag-5'>热</b>阻计算二极管浪涌电流

    功率器件设计基础(七)——等效模型

    /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的设计基础知识,才能完成精确
    的头像 发表于 12-03 01:03 843次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>热</b>设计基础(七)——<b class='flag-5'>热</b>等效模型

    功率器件设计基础(六)——瞬态测量

    功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的设计基础知识,才能完成精确
    的头像 发表于 11-26 01:02 847次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>热</b>设计基础(六)——瞬态<b class='flag-5'>热</b>测量

    功率器件设计基础(五)——功率半导体热容

    /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的设计基础知识,才能完成精确
    的头像 发表于 11-19 01:01 292次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>热</b>设计基础(五)——<b class='flag-5'>功率</b>半导体热容

    功率器件设计基础(四)——功率半导体芯片温度和测试方法

    功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的设计基础知识,才能完成精确
    的头像 发表于 11-12 01:04 969次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>热</b>设计基础(四)——<b class='flag-5'>功率</b>半导体芯片温度和<b class='flag-5'>测试</b>方法

    功率器件设计基础(三)——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法

    功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的设计基础知识,才能完成精确
    的头像 发表于 11-05 08:02 1251次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>热</b>设计基础(三)——<b class='flag-5'>功率</b>半导体壳温和散热器温度定义和<b class='flag-5'>测试</b>方法

    功率器件设计基础(二)——阻的串联和并联

    /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的设计基础知识,才能完成精确
    的头像 发表于 10-29 08:02 339次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>热</b>设计基础(二)——<b class='flag-5'>热</b>阻的串联和并联

    功率器件设计基础(一)——功率半导体的

    功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的设计基础知识,才能完成精确
    的头像 发表于 10-22 08:01 1148次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>热</b>设计基础(一)——<b class='flag-5'>功率</b>半导体的<b class='flag-5'>热</b>阻

    功率半导体器件功率循环测试与控制策略

    功率循环测试是一种功率半导体器件的可靠性测试方法,被列为AEC-Q101与AQG-324等车规级
    的头像 发表于 10-09 18:11 386次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b>半导体<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>循环</b><b class='flag-5'>测试</b>与控制策略

    功率器件功率循环测试原理详解

    功率半导体器件,特别是绝缘栅双极型晶体管(IGBT),在新能源、轨道交通、电动汽车、工业应用和家用电器等诸多应用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源电动汽车行业的迅猛崛起下,功率半导
    的头像 发表于 08-12 16:31 1122次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>循环</b><b class='flag-5'>测试</b>原理详解

    IGBT功率器件功耗

    IGBT功率电子器件在工作中,由于自身的功率损耗,将引起IGBT温度升高。引起功率
    的头像 发表于 07-19 11:21 826次阅读
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>功耗

    功率器件损耗计算和选型要求

    对于常见功率器件,整流桥,电解电容,IGBT,MOS管,这些功率器件损耗
    发表于 06-12 16:44

    功率循环IGBT 寿命的影响——准确估算功率器件的寿命

    内容摘要供应商们正在努力提高绝缘栅双极晶体管(IGBT)、Si和SiCMOSFET以及其他功率器件的最大功率水平和电流负载能力,并同时保持高质量a和可靠性。新威廉希尔官方网站 随着创新而纷纷涌现,例
    的头像 发表于 04-26 08:35 1210次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>循环</b>对<b class='flag-5'>IGBT</b> 寿命的影响——准确估算<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的寿命