美新半导体宣布3轴AMR地磁传感器荣膺“年度最佳传感器/MEMS奖项”

2024年3月29日，由全球电子威廉希尔官方网站 领域知名媒体集团ASPENCORE举办的"2024年度中国IC领袖峰会暨中国IC设计成就奖颁奖典礼"在上海隆重举行。全球领先的传感威廉希尔官方网站 解决方案供应商美新半导体宣布，该公司凭借3轴AMR地磁传感器—MMC5619WA荣膺中国IC设计成就奖之“年度最佳传感器/MEMS奖项”。

中国IC设计成就奖是中国电子行业最负盛名的奖项之一，旨在表彰在中国IC设计行业中取得卓越成就的公司和产品。荣获IC设计成就奖的表彰，充分体现了美新半导体在中国传感器行业的领先地位和卓越的产品研发及服务支持能力。

美新半导体首席执行官卢牮表示：“我们非常荣幸获得年度最佳传感器奖项，该奖项是对我们在MEMS传感器行业建设的肯定，十分感谢AspenCore用户社群以及资深分析师团队对我们的认可，美新半导体将继续深入研发，致力于为客户提供最先进的传感器产品。”

作为美新半导体在地磁产品线的热门产品之一，MMC5619WA是最新一代量产的3轴AMR磁传感器，采用单芯片设计，已被广泛应用于手机及智能手表的指南针系统。智能设备现今已经占据了生活中的一大部分，日常徒步、旅行等都需要指南针的应用，同时地磁传感器也作用于专业研究，例如地球的磁场和磁极的位置及天文观测，对于了解地球的磁场结构、物理现象及天体的方向和位置具有重要意义。

此款产品在上一代产品的基础上新增了I3C通信功能，增加了FIFO缓存，并保持和上一代产品的尺寸和引脚兼容，同时具有更稳定的性能确保功效。其可测量磁场强度范围为是30高斯(Gauss)，最高可支持20 bit分辨率，每LSB分辨率高达0.0625mG，均方根噪声级为2mG，最低IO工作电压可支持到1.1V。

此外，MMC5619WA具有高精度，高性能确保精度可达1°，同时配套开发了先进的校准和倾斜补偿算法，可根据客户实际产品设计做相应的调整适配，确保发挥最好的性能和最高的测量精准度。

审核编辑：刘清