硅单晶不同晶向下的不同位错表现介绍
本文介绍了硅单晶不同晶向下的不同位错表现。
<111>晶向：位错腐蚀坑的形状主要呈三角形腐蚀坑
<100>晶向：位错腐蚀坑的形状主要呈正方形腐蚀坑
<110>晶向：位错腐蚀坑的形状主要呈立方体腐蚀坑
在硅单晶面上，不同的腐蚀剂和不同的腐蚀时间也会影响位错坑的状态。下图是<111>面腐蚀坑，由三角行的变成圆形的凹坑。其主要原因是因为腐蚀剂和腐蚀时间的不同使得晶体中各个方向的腐蚀速度不同造成的。
审核编辑：刘清
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硅单晶
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原文标题：硅单晶不同晶向下的位错表现
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