半导体就是“集成电路”,制造工程大致可分为“前段制程”与“后段制程”。前段制程,会在矽晶圆上做出电阻、电容、二极体、电晶体等元件,以及将这些元件互相连接的内部布线。前段制程亦称为“扩散制程”,由数百道步骤组合而成,占半导体总制程的80%。
近来,又有将前段制程细分为①在矽晶圆上做出各种元件的FEOL、②在各个元件之间做出连接用金属布线的BEOL,分为两大制程。随着在逻辑类半导体多层布线逐渐的被采用,前段制程的布线制程比例提高,故BEOL独立出来成为单独一大项。
前段制程包括:形成绝缘层、导体层、半导体层等的“成膜”;以及在薄膜表面涂布光阻(感光性树脂),并利用相片黄光微影威廉希尔官方网站 长出图案的“黄光微影”;并且以形成的光阻图案做为遮罩,选择性地去除底层材料膜,以便达成造型加工的“蚀刻”;将p型或n型的导电性不纯物添加至矽基板表层的“不纯物添加”;在黄光微影段为了提高黄光微影成型精细度,并改善布线的阶梯覆盖率(stepcoverage),而在制程中对晶圆表面进行平坦化“CMP”;在各段制程之间产生的尘屑及不纯物质去除、清洁晶圆使其得以顺利进入下一道制程的“洗净”等制程。
此外,还有前段制程全部完成时,必须进行晶圆上的半导体晶片电性测试,判定良品与否的“晶圆针测制程”。
后段制程则包括:“构装制程”及“测试制程”。后面的章节将会针对这些主要的制程,进一步详细说明。
审核编辑:黄飞
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原文标题:半导体制造过程---前段制程与后段制程概要
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